IRF830PBF

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	13.44kr	16.80kr
5 - 9	12.77kr	15.96kr
10 - 24	12.10kr	15.13kr
25 - 49	11.43kr	14.29kr
50 - 99	11.73kr	14.66kr
100 - 249	12.05kr	15.06kr
250 - 772	11.80kr	14.75kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	13.44kr	16.80kr
5 - 9	12.77kr	15.96kr
10 - 24	12.10kr	15.13kr
25 - 49	11.43kr	14.29kr
50 - 99	11.73kr	14.66kr
100 - 249	12.05kr	15.06kr
250 - 772	11.80kr	14.75kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 772

Set med 1

IRF830PBF. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF830PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2.7A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.2 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 42 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 610pF. Maximal förlust Ptot [W]: 75W. Kapsling (JEDEC-standard): 74W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal i lager uppdaterad den 17/01/2025, 08:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!