IRF8010S

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	27.68kr	34.60kr
5 - 9	26.29kr	32.86kr
10 - 24	24.91kr	31.14kr
25 - 49	23.53kr	29.41kr
50 - 99	22.97kr	28.71kr
100 - 129	22.42kr	28.03kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	27.68kr	34.60kr
5 - 9	26.29kr	32.86kr
10 - 24	24.91kr	31.14kr
25 - 49	23.53kr	29.41kr
50 - 99	22.97kr	28.71kr
100 - 129	22.42kr	28.03kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 129

Set med 1

IRF8010S. C(tum): 3850pF. Kostnad): 480pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 99 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högfrekventa DC-DC-omvandlare. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 260W. Resistans Rds På: 12m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 61 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 03:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!