IRF8010

IRF8010. C(tum): 3850pF. Kostnad): 480pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 90 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högfrekventa DC-DC-omvandlare. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 260W. Resistans Rds På: 12m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 61 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 00:25.