IRFB260N

IRFB260N. C(tum): 4220pF. Kostnad): 580pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 240 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 56A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: FB260N. Pd (effektförlust, max): 380W. Resistans Rds På: 0.04 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 52 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Funktion: SMPS, Högfrekventa DC-DC-omvandlare. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 17/01/2025, 00:25.