IRFB11N50A

IRFB11N50A. C(tum): 1423pF. Kostnad): 208pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 510 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 170W. Resistans Rds På: 0.52 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 32 ns. Td(på): 14 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Snabb switch, Låg grindladdning 52nC. Spec info: N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 17/01/2025, 00:25.