IRFB7444PBF

IRFB7444PBF. C(tum): 4730pF. Kostnad): 680pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 24 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 770A. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 172A. Idss (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 143W. Resistans Rds På: 2M Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 115 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 40V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.2V. Funktion: BLDC-motordriftapplikationer, batteridrivna kretsar, DC/DC och AC/DC-omvandlare. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 16/01/2025, 20:25.