Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

IRFB9N60A

IRFB9N60A
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 38.63kr 48.29kr
5 - 9 36.70kr 45.88kr
10 - 24 34.76kr 43.45kr
25 - 49 32.83kr 41.04kr
50 - 99 32.06kr 40.08kr
100 - 132 31.29kr 39.11kr
Kvantitet U.P
1 - 4 38.63kr 48.29kr
5 - 9 36.70kr 45.88kr
10 - 24 34.76kr 43.45kr
25 - 49 32.83kr 41.04kr
50 - 99 32.06kr 40.08kr
100 - 132 31.29kr 39.11kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 132
Set med 1

IRFB9N60A. C(tum): 1400pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 530 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 37A. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 170W. Resistans Rds På: 0.75 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -50...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 02:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.