N-kanals transistor, 5.8A, 9.2A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - IRFB9N60A

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	38.63kr	48.29kr
5 - 9	36.70kr	45.88kr
10 - 24	34.76kr	43.45kr
25 - 49	32.83kr	41.04kr
50 - 99	32.06kr	40.08kr
100 - 130	31.29kr	39.11kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	38.63kr	48.29kr
5 - 9	36.70kr	45.88kr
10 - 24	34.76kr	43.45kr
25 - 49	32.83kr	41.04kr
50 - 99	32.06kr	40.08kr
100 - 130	31.29kr	39.11kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 130

Set med 1

N-kanals transistor, 5.8A, 9.2A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - IRFB9N60A. N-kanals transistor, 5.8A, 9.2A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 250uA. Resistans Rds På: 0.75 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 600V. C(tum): 1400pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 530 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 37A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 170W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -50...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 21/04/2025, 11:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!