Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 38.63kr | 48.29kr |
5 - 9 | 36.70kr | 45.88kr |
10 - 24 | 34.76kr | 43.45kr |
25 - 49 | 32.83kr | 41.04kr |
50 - 99 | 32.06kr | 40.08kr |
100 - 132 | 31.29kr | 39.11kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 38.63kr | 48.29kr |
5 - 9 | 36.70kr | 45.88kr |
10 - 24 | 34.76kr | 43.45kr |
25 - 49 | 32.83kr | 41.04kr |
50 - 99 | 32.06kr | 40.08kr |
100 - 132 | 31.29kr | 39.11kr |
IRFB9N60A. C(tum): 1400pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 530 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 37A. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 170W. Resistans Rds På: 0.75 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -50...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 02:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.