Transistorer

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SMD-220. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: L640S. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 10A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 44 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1800pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 150A. Effekt: 140W. Resistans Rds På: 0.0038 Ohms. Hölje: TO-220. Drain-source spänning (Vds): 30V

C(tum): 7660pF. Kostnad): 2150pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. Id(imp): 740A. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 185A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300W. Resistans Rds På: 0.004 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 21 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 40V. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Teknik: HEXFET Power MOSFET transistor, logisk nivåkontrollerad. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 10315pF. Kostnad): 1980pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 39 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 1372A. ID (T=100°C): 243A. ID (T=25°C): 343A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 375W. Resistans Rds På: 1.4M Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 97 ns. Td(på): 65 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 40V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: DC Motor Drive, High Speed ​​Power Switching. Spec info: logisk nivåkontroll. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1077pF. Kostnad): 360pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 16 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 250A. ID (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 64A. Idss (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 65W. Resistans Rds På: 0.0065 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 9 ns. Td(på): 9.1ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Funktion: Ultralågt på-motstånd, snabb växling. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 5110pF. Kostnad): 960pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 29 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: UPS, DC/DC-omvandlare. Id(imp): 620A. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 140W. Resistans Rds På: 2.5M Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 25 ns. Td(på): 23 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: High Frequency Synchronous. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 5110pF. Kostnad): 960pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 29 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: UPS, DC/DC-omvandlare. Id(imp): 620A. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. Idss (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 140W. Resistans Rds På: 2.5M Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 25 ns. Td(på): 23 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Grind/källa spänning (av) min.: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 7660pF. Kostnad): 2150pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. Id(imp): 740A. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 185A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300W. Resistans Rds På: 0.004 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 21 ns. Hölje: SUPER-220. Hölje (enligt datablad): SUPER220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 40V. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Teknik: HEXFET Power MOSFET transistor, logisk nivåkontrollerad. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 5000pF. Kostnad): 1800pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 120ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. Id(imp): 720A. ID (T=100°C): 126A. ID (T=25°C): 179A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 270W. Resistans Rds På: 0.005 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 29 ns. Td(på): 14 ns. Hölje: SUPER-220. Hölje (enligt datablad): SUPER220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Teknik: HEXFET Power MOSFET transistor, logisk nivåkontrollerad. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: SUPER-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRLBA3803PPBF. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 179A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 59A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 29 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 270W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: FET. Funktion: td(on) 9.3ns, td(off) 17ns, Logic-Level Gate. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (max): 1.7A. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Resistans Rds På: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): HVMDIP ( DIP-4 ). Spänning Vds(max): 60V

C(tum): 870pF. Kostnad): 360pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 110 ns. Olika: Dynamic dv/dt Rating. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 23 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): HVMDIP ( DIP-4 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Snabb växling, Logic-Level Gate Drive. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: DIP4. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 4. Tillverkarens märkning: IRLD024PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 23 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 870pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 740pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 52 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Förstärkarapplikationer optimerade för klass-D-ljud. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 25uA. IDss (min): 2uA. Pd (effektförlust, max): 39W. Resistans Rds På: 0.042 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 23 ns. Td(på): 5.7 ns. Teknik: Digital Audio HEXSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -40...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 660pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 57 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Förstärkarapplikationer optimerade för klass-D-ljud. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 25uA. IDss (min): 2uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 33W. Resistans Rds På: 93m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 21 ns. Td(på): 9.5 ns. Teknik: Digital Audio HEXSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -40...+170°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: LL014N. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 5.1 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 14 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 230pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FL024. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ 3.1A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7.4 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 18 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 510pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.9A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 9.3 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 16 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 250pF. Maximal förlust Ptot [W]: 3.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 530pF. Kostnad): 230pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 42 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 3.1A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 2.1W. Resistans Rds På: 0.45 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 6.9ns. Td(på): 7.4 ns. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: LL2703. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.9A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7.4 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 6.9ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 530pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: LL2703. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.9A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7.4 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 6.9ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 530pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: LL2705. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.8A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 3.8A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 6.2 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 35 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 870pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1A. Drain-source spänning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 0.47A. Gate haverispänning Ugs [V]: 1.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 2.5 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 9.7 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 110pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.54W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 740pF. Kostnad): 90pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 16 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 3.4A. ID (T=25°C): 4.2A. Idss (max): 25uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1uA. Resistans Rds På: 0.035 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 54 ns. Td(på): 7.5 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 20V. Port-/källspänning Vgs: 12V. Vgs(th) min.: 0.6V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1g. Drain-source spänning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.4A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.045 Ohms @ 4.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: 1.2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7.5 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 54 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 740pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.8W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C