Transistorer

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PH40K. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 1.2 kV. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 200 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Maximal kollektorström (A): 60A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 1800pF. Kostnad): 120pF. Kanaltyp: N. Funktion: Up to 40kHz in hard switching,>200kHz res.mode. Kollektorström: 41A. Ic(puls): 82A. Ic(T=100°C): 21A. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 220 ns. Td(på): 24 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.43V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3.1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PH40UD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 1.2 kV. Inkopplingstid ton [nsec.]: 46 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 90 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Maximal kollektorström (A): 82A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 2800pF. Kostnad): 140pF. Kanaltyp: N. Kollektorström: 45A. Ic(puls): 90A. Ic(T=100°C): 24A. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 200 ns. Td(på): 36ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.77V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Funktion: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Spec info: td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

C(tum): 2800pF. Kostnad): 140pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Trr-diod (Min.): 90 ns. Kollektorström: 45A. Ic(puls): 90A. Ic(T=100°C): 24A. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 140 ns. Td(på): 87 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.77V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1220V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Funktion: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Kollektorström: 45A. Ic(puls): 180A. Ic(T=100°C): 24A. Märkning på höljet: IRG4PH50U. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 200 ns. Td(på): 35 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.56V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Funktion: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 180A (pulsed). C(tum): 3600pF. Spec info: td(on) 35ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

C(tum): 850pF. Kostnad): 75pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Trr-diod (Min.): 92 ns. Kollektorström: 31A. Ic(puls): 62A. Ic(T=100°C): 15A. Pd (effektförlust, max): 208W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 184 ns. Td(på): 34 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5.5V. Antal terminaler: 3. Spec info: Ultrafast Soft Recovery Diode. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

C(tum): 3025pF. Kostnad): 245pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Kollektorström: 90A. Ic(puls): 144A. Ic(T=100°C): 48A. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 165 ns. Td(på): 145 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.65V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4 v. Antal terminaler: 3. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

C(tum): 2250pF. Kostnad): 110pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Kollektorström: 70A. Ic(puls): 250A. Ic(T=100°C): 40A. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 112 ns. Td(på): 36ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -40...+140°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.29V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.57V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.6V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Antal terminaler: 3. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: L1004S. Drain-source spänning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 130A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0065 Ohms @ 78A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.7V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 25 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5330pF. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 6590pF. Kostnad): 1710pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 63 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 640A. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. Resistans Rds På: 0.004 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 38 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 40V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 160A. Effekt: 200W. Resistans Rds På: 0.004 Ohms. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 40V

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 790A. ID (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. Idss (max): 200A. Pd (effektförlust, max): 230W. Resistans Rds På: 0.005 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 40V. Funktion: Snabb växling, Logic-Level Gate Drive

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRL1404ZPBF. Drain-source spänning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.003 Ohms @ 75A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.7V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 19 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5080pF. Maximal förlust Ptot [W]: 230W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 5080pF. Kostnad): 970pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 26 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 790A. ID (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. Idss: 20uA. Idss (max): 200A. Pd (effektförlust, max): 230W. Resistans Rds På: 2.5M Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 30 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): TO-263 ( D2PAK ). Spänning Vds(max): 40V. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 3290pF. Kostnad): 1270pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 56 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 400A. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 116A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 180W. Resistans Rds På: 0.07 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 23 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRL2203NPBF. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.7V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 23 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3290pF. Maximal förlust Ptot [W]: 130W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: L2203NS. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 23 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3290pF. Maximal förlust Ptot [W]: 180W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: L2203NS. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 23 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3290pF. Maximal förlust Ptot [W]: 180W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 360A. ID (T=100°C): 74A. ID (T=25°C): 104A. Idss (max): 104A. Pd (effektförlust, max): 200W. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: L2505S. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 54A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 43 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 3700pF. Kostnad): 630pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 190A. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 200W. Resistans Rds På: 0.026 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 49 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRL3502. Drain-source spänning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 96 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4700pF. Maximal förlust Ptot [W]: 140W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: L3502S. Drain-source spänning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 96 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4700pF. Maximal förlust Ptot [W]: 140W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 3600pF. Kostnad): 870pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 94us. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 310A. ID (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 170W. Resistans Rds På: 0.01 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 37 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 2V. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Logic-Level Gate Drive, snabb växling. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS