Transistorer

C(tum): 1470pF. Kostnad): 360pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 63us. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 94W. Resistans Rds På: 0.0175 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 44 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFZ44NPBF. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 31A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 44 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1470pF. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 1470pF. Kostnad): 360pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 63 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 49A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 94W. Resistans Rds På: 17.5m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 44 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FZ44NS. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0175 Ohms @ 25A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 44 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1470pF. Maximal förlust Ptot [W]: 94W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 1812pF. Kostnad): 393pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 115W. Resistans Rds På: 16.5m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 40 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 55A. Effekt: 115W. Resistans Rds På: 0.016 Ohms. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 60V

C(tum): 1696pF. Kostnad): 407pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 67 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 53A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 107W. Resistans Rds På: 16.5m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 52 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1696pF. Kostnad): 407pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 67 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 53A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 120W. Resistans Rds På: 16.5m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 52 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-262 ( I2-PAK ). Hölje (enligt datablad): TO-262. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFZ46NPBF. Drain-source spänning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0165 Ohms @ 28A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 52 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1696pF. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 1970pF. Kostnad): 470pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 68 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 210A. ID (T=100°C): 32A. ID (T=25°C): 64A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 140W. Resistans Rds På: 0.014 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 34 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

Hölje: TO-220AB. Tillverkarens märkning: IRFZ48NPBF. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 32A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 34 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1970pF. Maximal förlust Ptot [W]: 130W. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 64A. Effekt: 130W. Resistans Rds På: 0.014 Ohms. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Drain-source spänning (Vds): 55V

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4BC20FD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 43 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 240 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 60W. Maximal kollektorström (A): 64A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4BC20KD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 54 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 180 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 60W. Td(av): 180 ns. Td(på): 54 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220 ( AB ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.27V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Maximal kollektorström (A): 32A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4BC20S. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 27 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 540 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 60W. Maximal kollektorström (A): 38A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4BC20S. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 27 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 540 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 60W. Maximal kollektorström (A): 38A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4BC20UD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 39 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 93 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 60W. Maximal kollektorström (A): 52A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4BC20U. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 21 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 86 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 60W. Maximal kollektorström (A): 52A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4BC30FD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 42 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 230 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 100W. Maximal kollektorström (A): 60.4k Ohms. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4BC30KD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 60 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 160 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 100W. Maximal kollektorström (A): 56A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4BC30S. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 22 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 540 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 100W. Maximal kollektorström (A): 68A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Funktion: Ultra Fast Speed IGBT (8-40KHz). Kollektorström: 23A. Ic(puls): 92A. Ic(T=100°C): 12A. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 175 ns. Td(på): 27 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220 ( AB ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.59V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

C(tum): 1100pF. Kostnad): 73pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Trr-diod (Min.): 42 ns. Funktion: UltraFast CoPack IGBT. Kollektorström: 23A. Ic(puls): 92A. Ic(T=100°C): 12A. Märkning på höljet: IRG4BC30UD. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 91 ns. Td(på): 40 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220 ( AB ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.95V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4BC30UD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 40 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 91 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 100W. Maximal kollektorström (A): 92A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4BC30U. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 40 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 91 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 100W. Maximal kollektorström (A): 92A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 980pF. Kostnad): 71pF. Kanaltyp: N. Funktion: effekt MOSFET transistor upp till 150 kHz. Kollektorström: 23A. Ic(puls): 92A. Ic(T=100°C): 12A. Märkning på höljet: IRG 4BC30W. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 99 ns. Td(på): 25 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 50. Spec info: Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A). CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS