IRG4BC30W

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	55.63kr	69.54kr
5 - 9	52.85kr	66.06kr
10 - 24	50.07kr	62.59kr
25 - 30	47.29kr	59.11kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	55.63kr	69.54kr
5 - 9	52.85kr	66.06kr
10 - 24	50.07kr	62.59kr
25 - 30	47.29kr	59.11kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 30

Set med 1

IRG4BC30W. C(tum): 980pF. Kostnad): 71pF. Kanaltyp: N. Funktion: effekt MOSFET transistor upp till 150 kHz. Kollektorström: 23A. Ic(puls): 92A. Ic(T=100°C): 12A. Märkning på höljet: IRG 4BC30W. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 99 ns. Td(på): 25 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 50. Spec info: Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A). CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 12/01/2025, 19:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!