Transistorer

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4BC40K. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 140 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Maximal kollektorström (A): 84A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4BC40S. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 22 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 650 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Maximal kollektorström (A): 60.4k Ohms. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4BC40U. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 34 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 110 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Maximal kollektorström (A): 160A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PC30FD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 42 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 230 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 100W. Maximal kollektorström (A): 60.4k Ohms. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 920pF. Kostnad): 110pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Trr-diod (Min.): 42 ns. Kollektorström: 28A. Ic(puls): 58A. Ic(T=100°C): 16A. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 160 ns. Td(på): 60 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.21V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Spec info: Ultrasnabb IGBT-transistor. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PC30KD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 60 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 160 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 100W. Maximal kollektorström (A): 58A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PC30S. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 22 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 540 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 100W. Maximal kollektorström (A): 68A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 1100pF. Kostnad): 73pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Trr-diod (Min.): 42 ns. Funktion: ULTRA FAST. Kollektorström: 23A. Ic(puls): 92A. ID (T=100°C): 12A. Märkning på höljet: IRG4PC30UD. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 91 ns. Td(på): 40 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.95V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PC30UD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 40 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 91 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 100W. Maximal kollektorström (A): 92A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 2200pF. Kostnad): 140pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: Genomgående hålmontering på kretskort. Trr-diod (Min.): 42 ns. Kollektorström: 49A. Ic(puls): 84A. Ic(T=100°C): 27A. Märkning på höljet: 230 ns. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 230 ns. Td(på): 63 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.85V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Funktion: Ultrasnabb, för höga driftfrekvenser 8-40kHz. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

C(tum): 1600pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Kollektorström: 42A. Ic(puls): 84A. Ic(T=100°C): 25A. Märkning på höljet: G4PC40K. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 140 ns. Td(på): 30 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Spec info: bipolär transistor med isolerad grind (IGBT). Funktion: Ultrasnabb, för höga driftfrekvenser 8-40kHz. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

C(tum): 1600pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 42 ns. Kollektorström: 42A. Ic(puls): 84A. Ic(T=100°C): 25A. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 110 ns. Td(på): 53 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.1V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.6V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Funktion: Ultrasnabb, för höga driftfrekvenser 8-40kHz. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PC40KD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 53 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 110 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Maximal kollektorström (A): 84A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PC40K. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 140 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Maximal kollektorström (A): 84A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 2100pF. Kostnad): 140pF. Kanaltyp: N. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 160A. Ic(T=100°C): 20A. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 110 ns. Td(på): 34 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.72V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Funktion: Ultrasnabb, för höga driftfrekvenser 8-40kHz. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PC40UD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 54 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 110 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Maximal kollektorström (A): 160A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 1900pF. Kostnad): 140pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 160A. Ic(T=100°C): 20A. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 27 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.05V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PC40W. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 27 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 100 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 160W. Maximal kollektorström (A): 160A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PC50FD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 55 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 240 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Maximal kollektorström (A): 280A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PC50F. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 31 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 240 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Maximal kollektorström (A): 280A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PC50KD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 600V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 63 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 150 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Maximal kollektorström (A): 104A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 3700pF. Kostnad): 260pF. Kanaltyp: N. Kollektorström: 55A. Ic(puls): 220A. Ic(T=100°C): 27A. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 120ns. Td(på): 46 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.93V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhet: 25. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

C(tum): 6050pF. Kanaltyp: N. Funktion: "Fast Speed ​​​​IGBT". Kollektorström: 90A. Ic(puls): 360A. Ic(T=100°C): 60A. Pd (effektförlust, max): 520W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 310 ns. Td(på): 42 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. Kostnad): 360pF. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PF50W. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 900V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 29 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 110 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 110 ns. Td(på): 29 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.25V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 900V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Maximal kollektorström (A): 204A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor med inbyggd höghastighets frihjulsdiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PH20KD. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 1.2 kV. Inkopplingstid ton [nsec.]: 50 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 100 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6.5V. Maximal förlust Ptot [W]: 60W. Maximal kollektorström (A): 22A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C