IRG4PF50WPBF

IRG4PF50WPBF. RoHS: ja. Komponentfamilj: IGBT transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Kapsling (JEDEC-standard): TO-247AC. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRG4PF50W. Kollektor-emitterspänning Uce [V]: 900V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 29 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 110 ns. Gate haverispänning Ugs [V]: 6V. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 110 ns. Td(på): 29 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.25V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 900V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Maximal kollektorström (A): 204A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal i lager uppdaterad den 16/01/2025, 05:25.