Transistorer

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRL3705N. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 89A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 46A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 37 ns. Maximal förlust Ptot [W]: 170W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3600pF

C(tum): 5890pF. Kostnad): 3130pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 75 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 1040A. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 330W. Resistans Rds På: 0.003 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 40 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: SMPS MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: mycket låga Rds. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Mycket lågt Rds-on-motstånd. ID (T=100°C): 170A. ID (T=25°C): 200A. Idss (max): 200A. Pd (effektförlust, max): 200W. Resistans Rds På: 0.003 Ohms. Teknik: SMPS MOSFET. Spänning Vds(max): 30 v. obs: UltraLow Gate

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: L3713S. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 260A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 30A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 40 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5890pF. Maximal förlust Ptot [W]: 170W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 5000pF. Kostnad): 1800pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 120ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 470A. ID (T=100°C): 98A. ID (T=25°C): 140A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. Resistans Rds På: 0.006 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 29 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. G-S Skydd: NINCS

Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 29 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 140A. Effekt: 200W. Resistans Rds På: 0.006 Ohms. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Drain-source spänning (Vds): 30V

C(tum): 5000pF. Kostnad): 1800pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 120ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. Id(imp): 470A. ID (T=100°C): 83A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 150W. Resistans Rds På: 0.006 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 29 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 1V. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: L3803S. Drain-source spänning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 29 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK/7. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 7. Drain-source spänning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 360A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0005 Ohms @ 100A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 67 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 222 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 19680pF. Maximal förlust Ptot [W]: 416W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 10A. Pd (effektförlust, max): 48W. Resistans Rds På: 0.18 Ohms. Teknik: V-MOS TO220A. Spänning Vds(max): 100V

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: L520N. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 4 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 23 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 440pF. Maximal förlust Ptot [W]: 48W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 800pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 140 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 79W. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 7.2 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Teknik: HEXFET Power MOSFET transistor, logisk nivåkontrollerad. Spec info: Grindstyrning med logiknivå. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRL530NPBF. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7.2 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 800 ns. Maximal förlust Ptot [W]: 79W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: L530NS. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.3A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7.2 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 800 ns. Maximal förlust Ptot [W]: 1.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 1800pF. Kostnad): 350pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 190 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 94W. Resistans Rds På: 0.044 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 39 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRL540N. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 39 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1800pF. Maximal förlust Ptot [W]: 140W. Kapsling (JEDEC-standard): 140W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 1800pF. Kostnad): 350pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 26A. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 140W. Resistans Rds På: 0.044 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 39 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: L540NS. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 39 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1800pF. Maximal förlust Ptot [W]: 140W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: L5602S. Drain-source spänning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ -12A. Gate haverispänning Ugs [V]: -1V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 9.7 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 53 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1460pF. Maximal förlust Ptot [W]: 75W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Pd (effektförlust, max): 74W. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: V-MOS. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220A. Spänning Vds(max): 200V

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Pd (effektförlust, max): 69W. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: V-MOS. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220A. Spänning Vds(max): 200V

Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 9A. Effekt: 74W. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. Hölje: TO-220. Drain-source spänning (Vds): 200V

C(tum): 1800pF. Kostnad): 480pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 310 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. Resistans Rds På: 0.18 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 44 ns. Td(på): 8 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Resistans Rds På: 0.18 Ohms. Hölje: TO-220. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 18A. Pd (effektförlust, max): 110W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: V-MOS. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V

RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SMD-220. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: L640S. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 10A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 44 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1800pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C