IRL530N

IRL530N. C(tum): 800pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 140 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 79W. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 7.2 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Teknik: HEXFET Power MOSFET transistor, logisk nivåkontrollerad. Spec info: Grindstyrning med logiknivå. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 12/01/2025, 19:25.