Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

IRL640A

IRL640A
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 13.23kr 16.54kr
5 - 9 12.57kr 15.71kr
10 - 24 11.90kr 14.88kr
25 - 49 11.24kr 14.05kr
50 - 81 10.98kr 13.73kr
Kvantitet U.P
1 - 4 13.23kr 16.54kr
5 - 9 12.57kr 15.71kr
10 - 24 11.90kr 14.88kr
25 - 49 11.24kr 14.05kr
50 - 81 10.98kr 13.73kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 81
Set med 1

IRL640A. Kanaltyp: N. Resistans Rds På: 0.18 Ohms. Hölje: TO-220. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 18A. Pd (effektförlust, max): 110W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: V-MOS. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 200V. Antal i lager uppdaterad den 16/01/2025, 01:25.

Motsvarande produkter :

Antal i lager : 36
IRL640

IRL640

C(tum): 1800pF. Kostnad): 480pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod...
IRL640
C(tum): 1800pF. Kostnad): 480pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 310 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. Resistans Rds På: 0.18 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 44 ns. Td(på): 8 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. G-S Skydd: NINCS
IRL640
C(tum): 1800pF. Kostnad): 480pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 310 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. Resistans Rds På: 0.18 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 44 ns. Td(på): 8 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
26.28kr moms incl.
(21.02kr exkl. moms)
26.28kr

Vi rekommenderar även :

Antal i lager : 269
IRF640N

IRF640N

C(tum): 1160pF. Kostnad): 185pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 167 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id...
IRF640N
[LONGDESCRIPTION]
IRF640N
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
18.45kr moms incl.
(14.76kr exkl. moms)
18.45kr
Antal i lager : 112
IRFBE30

IRFBE30

C(tum): 1300pF. Kostnad): 310pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 480 ns. Typ av t...
IRFBE30
[LONGDESCRIPTION]
IRFBE30
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
30.59kr moms incl.
(24.47kr exkl. moms)
30.59kr

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.