IRFBE30

IRFBE30. C(tum): 1300pF. Kostnad): 310pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 480 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.1A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. Resistans Rds På: 3 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 82 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 12/01/2025, 19:25.