Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 15.17kr | 18.96kr |
5 - 9 | 14.41kr | 18.01kr |
10 - 14 | 13.65kr | 17.06kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 15.17kr | 18.96kr |
5 - 9 | 14.41kr | 18.01kr |
10 - 14 | 13.65kr | 17.06kr |
IRLD024. C(tum): 870pF. Kostnad): 360pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 110 ns. Olika: Dynamic dv/dt Rating. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 23 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): HVMDIP ( DIP-4 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Snabb växling, Logic-Level Gate Drive. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 16/01/2025, 01:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.