IRLBA1304P

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	97.58kr	121.98kr
2 - 2	92.70kr	115.88kr
3 - 4	87.82kr	109.78kr
5 - 9	82.94kr	103.68kr
10 - 19	80.99kr	101.24kr
20 - 29	79.04kr	98.80kr
30 - 68	76.11kr	95.14kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	97.58kr	121.98kr
2 - 2	92.70kr	115.88kr
3 - 4	87.82kr	109.78kr
5 - 9	82.94kr	103.68kr
10 - 19	80.99kr	101.24kr
20 - 29	79.04kr	98.80kr
30 - 68	76.11kr	95.14kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 68

Set med 1

IRLBA1304P. C(tum): 7660pF. Kostnad): 2150pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. Id(imp): 740A. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 185A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300W. Resistans Rds På: 0.004 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 21 ns. Hölje: SUPER-220. Hölje (enligt datablad): SUPER220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 40V. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Teknik: HEXFET Power MOSFET transistor, logisk nivåkontrollerad. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 16/01/2025, 01:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!