IRLBA3803P

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	53.82kr	67.28kr
5 - 9	51.13kr	63.91kr
10 - 24	48.44kr	60.55kr
25 - 49	45.75kr	57.19kr
50 - 95	44.67kr	55.84kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	53.82kr	67.28kr
5 - 9	51.13kr	63.91kr
10 - 24	48.44kr	60.55kr
25 - 49	45.75kr	57.19kr
50 - 95	44.67kr	55.84kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 95

Set med 1

IRLBA3803P. C(tum): 5000pF. Kostnad): 1800pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 120ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. Id(imp): 720A. ID (T=100°C): 126A. ID (T=25°C): 179A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 270W. Resistans Rds På: 0.005 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 29 ns. Td(på): 14 ns. Hölje: SUPER-220. Hölje (enligt datablad): SUPER220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Teknik: HEXFET Power MOSFET transistor, logisk nivåkontrollerad. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 16/01/2025, 01:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!