IRLB8721

IRLB8721. C(tum): 1077pF. Kostnad): 360pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 16 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 250A. ID (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 64A. Idss (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 65W. Resistans Rds På: 0.0065 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 9 ns. Td(på): 9.1ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Funktion: Ultralågt på-motstånd, snabb växling. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 16/01/2025, 01:25.