Transistorer

C(tum): 4880pF. Kostnad): 950pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 18 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. Id(imp): 640A. ID (T=100°C): 113A. ID (T=25°C): 160A. Idss (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 135W. Resistans Rds På: 2.4M Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 21 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Produktserie: HEXFET. Polaritet: MOSFET N. Vdss (Drain to Source Voltage): 55V. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström): 17A. Port-/källspänning Vgs: 110m Ohms / 9A / 4V. Grind/källa spänning Vgs max: -16V. Max: 45W. Hölje: IPAK. Monteringstyp: SMD

C(tum): 480pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 60 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. ID (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 47W. Resistans Rds På: 0.075 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 20 ns. Td(på): 7.1 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRLZ24NPBF. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 11A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7.1 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 20 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 480pF. Maximal förlust Ptot [W]: 45W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 880pF. Kostnad): 220pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 76 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 68W. Resistans Rds På: 0.035 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 21 ns. Td(på): 8.9 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRLZ34NPBF. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 16A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.9 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 21 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 880pF. Maximal förlust Ptot [W]: 68W. Kapsling (JEDEC-standard): 30A. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 30A. Pd (effektförlust, max): 68W. Resistans Rds På: 0.035 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-262 ( I2-PAK ). Hölje (enligt datablad): TO-262. Spänning Vds(max): 55V

C(tum): 1700pF. Kostnad): 400pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Grindstyrning med logiknivå. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 47A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 110W. Resistans Rds På: 0.022 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 26 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 41A. Effekt: 83W. Resistans Rds På: 0.022 Ohms. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 55V

Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Funktion: Ic 46A @ 25°C, 31A @ 110°C. Germanium diod: Dämpare. Kollektorström: 46A. Ic(T=100°C): 31A. Märkning på höljet: V5036P. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 10.8 ns. Td(på): 7 ns. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AA. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 390V. Grind/sändarspänning VGE: 10V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 1.3V. Spec info: td(On) 0.7us, td(Off) 10.8us. CE-diod: NINCS

C(tum): 6600pF. Kostnad): 640pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 300A. ID (T=25°C): 130A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 360W. Resistans Rds På: 0.01 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 24 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): TO-263. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AD. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IXFH13N80. Drain-source spänning Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 6.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 63 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4200pF. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AD. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IXFH26N50. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 26A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 13A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 65 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4200pF. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 4700pF. Kostnad): 580pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 104A. ID (T=25°C): 26A. Idss (max): 1mA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 360W. Resistans Rds På: 0.25 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 80 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: HiPerFet Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AD. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.5V. Spec info: dv/dt 10V/ns. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 5700pF. Kostnad): 750pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 128A. ID (T=25°C): 32A. Idss (max): 1mA. IDss (min): 200uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 360W. Resistans Rds På: 0.15 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 110 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: HiPerFet Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AD. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AD. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IXFH58N20. Drain-source spänning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 58A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 29A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 25 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 90 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4400pF. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-264AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IXFK140N30P. Drain-source spänning Uds [V]: 300V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 70A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 100 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 14000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1040W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 7500pF. Kostnad): 920pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 136A. ID (T=25°C): 34A. Idss (max): 2mA. IDss (min): 100uA. Pd (effektförlust, max): 560W. Resistans Rds På: 0.24 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 45 ns. Teknik: HiPerFet Power MOSFET. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264AA. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 25. Spec info: dv/dt 5V/ns. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 8400pF. Kostnad): 900pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: F-Class--MHz Switching. Id(imp): 176A. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 2mA. IDss (min): 400uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 500W. Resistans Rds På: 0.12 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: HiPerFet Power MOSFET. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264AA. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. C(tum): 12pF. Kostnad): 910pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Enhancement Mode, Avalanche Rated. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 1.5mA. IDss (min): 50uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1200W. Resistans Rds På: 0.19 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 75 ns. Td(på): 28 ns. Teknik: PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264AA. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-264AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IXFK48N50. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 100 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 8400pF. Maximal förlust Ptot [W]: 500W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Kapsling (JEDEC-standard): 25. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: HiPerFet Power MOSFET. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264AA. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-264AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IXFK48N60P. Drain-source spänning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 48A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ 24A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 85 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 8860pF. Maximal förlust Ptot [W]: 830W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. C(tum): 7900pF. Kostnad): 790pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 200 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 150A. ID (T=100°C): 5.5V. ID (T=25°C): 64A. Idss (max): 1mA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 830W. Resistans Rds På: 85m Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 85 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: HiPerFet Power MOSFET. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264AA. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 20V/ns. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-264AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IXFK64N60P. Drain-source spänning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.096 Ohms @ 32A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 28 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 79 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 12000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1040W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 10000pF. Kostnad): 1800pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 360A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 90A. Idss (max): 2mA. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 500W. Resistans Rds På: 0.033 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 42 ns. Teknik: HiPerFet Power MOSFET. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264AA. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 300V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. G-S Skydd: NINCS