IXFK64N60P

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	362.50kr	453.13kr
2 - 2	344.37kr	430.46kr
3 - 4	326.25kr	407.81kr
5 - 9	308.12kr	385.15kr
10 - 14	250.55kr	313.19kr
15 - 19	244.51kr	305.64kr
20 - 25	235.46kr	294.33kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	362.50kr	453.13kr
2 - 2	344.37kr	430.46kr
3 - 4	326.25kr	407.81kr
5 - 9	308.12kr	385.15kr
10 - 14	250.55kr	313.19kr
15 - 19	244.51kr	305.64kr
20 - 25	235.46kr	294.33kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 25

Set med 1

IXFK64N60P. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-264AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IXFK64N60P. Drain-source spänning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.096 Ohms @ 32A. Gate haverispänning Ugs [V]: 5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 28 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 79 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 12000pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1040W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 22:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!