IXFH26N60Q

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	235.57kr	294.46kr
2 - 2	223.79kr	279.74kr
3 - 4	212.01kr	265.01kr
5 - 5	200.23kr	250.29kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	235.57kr	294.46kr
2 - 2	223.79kr	279.74kr
3 - 4	212.01kr	265.01kr
5 - 5	200.23kr	250.29kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 5

Set med 1

IXFH26N60Q. C(tum): 4700pF. Kostnad): 580pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 104A. ID (T=25°C): 26A. Idss (max): 1mA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 360W. Resistans Rds På: 0.25 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 80 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: HiPerFet Power MOSFET. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AD. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.5V. Spec info: dv/dt 10V/ns. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 22:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!