IXFH26N50Q

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	258.88kr	323.60kr
2 - 2	245.94kr	307.43kr
3 - 4	232.99kr	291.24kr
5 - 9	220.05kr	275.06kr
10 - 14	214.87kr	268.59kr
15 - 19	209.69kr	262.11kr
20 - 24	201.93kr	252.41kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	258.88kr	323.60kr
2 - 2	245.94kr	307.43kr
3 - 4	232.99kr	291.24kr
5 - 9	220.05kr	275.06kr
10 - 14	214.87kr	268.59kr
15 - 19	209.69kr	262.11kr
20 - 24	201.93kr	252.41kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 24

Set med 1

IXFH26N50Q. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AD. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IXFH26N50. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 26A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 13A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 65 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4200pF. Maximal förlust Ptot [W]: 300W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 22:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!