Transistorer

Kanaltyp: N-P. Pd (effektförlust, max): 3.1W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: N&P PowerTrench MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 4. obs: ID(AV)--N--9A P--8A. obs: Rds-on 0.024 Ohms (N), 0.036 Ohms (P). obs: Vdss 30V (N), -30V (P)

Kanaltyp: N-P. Funktion: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Antal terminaler: 8. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: DIP-8. Hölje: DIP. Antal per fodral: 2. obs: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms

Kanaltyp: N-P. Funktion: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Spec info: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms

Kanaltyp: N-P. Funktion: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 10W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: *SMD TO-252-4L*. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms

Kanaltyp: N-P. Funktion: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms

C(tum): 450pF. Kostnad): 120pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 20 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 8.4A. ID (T=25°C): 10.4A. Idss: 10uA. Idss (max): 10.4A. Märkning på höljet: 4800C G M. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Resistans Rds På: 0.014 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 17 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: Enhancement Mode Power MOSFET . Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Funktion: snabb växling, DC/DC-omvandlare. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 8440pF. Kostnad): 1775pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 48A. ID (T=25°C): 48A. Idss (max): 200uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 88N30W. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 312W. Resistans Rds På: 48m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 220 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: Enhancement-Mode Power MOSFET . Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 300V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Driftstemperatur: -55°C...+150°C. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1440pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 43 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 36W. Resistans Rds På: 0.064 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 45 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: Enhancement Mode Power MOSFET . Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Driftstemperatur: -55°C...+150°C. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 31.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: Enhancement Mode Power MOSFET . Hölje: TO-220. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 25V. Driftstemperatur: -55°C...+150°C. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N-P. Funktion: 2N-ch and 2P-ch POWER MOSFET. Antal terminaler: 8. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal per fodral: 4. Spec info: Rds-on 0.033 Ohms / 0.055 Ohms

C(tum): 1170pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 24 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Snabb växling, växelriktare, nätaggregat. Id(imp): 150A. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 32A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 9962GH. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 27.8W. Resistans Rds På: 0.02 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 20 ns. Td(på): 8 ns. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 40V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Funktion: MOS-N-FET. Antal terminaler: 8. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DIP-8. Antal per fodral: 2. Spec info: 0.050R (50m Ohms)

C(tum): 1700pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 37 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Snabb växling, växelriktare, nätaggregat. Id(imp): 90A. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 9971GH. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 39W. Resistans Rds På: 0.036 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 26 ns. Td(på): 9 ns. Teknik: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1700pF. Kostnad): 160pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 37 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NO. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 25uA. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 31.3W. Resistans Rds På: 0.036 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 26 ns. Td(på): 9 ns. Teknik: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220CFM. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 2. Id(imp): 28A. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 7A. Märkning på höljet: 9971GM. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 4W. Resistans Rds På: 0.050R (50m Ohms). RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Funktion: tf 5.5ns, td(on) 9.6ns, td(off) 30ns

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: td(on) 12ns. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 4A. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: "Förbättringsläge MOSFET". Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT-89. Spänning Vds(max): 20V

Kanaltyp: N-P. Funktion: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Enhancement Mode DUAL MOSFET (N- och P-Channel) . Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DIP-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal per fodral: 2. obs: Id--8A/30Ap & 6A/20Ap. obs: Rds-on 0.025 Ohms / 0.040 Ohms. obs: Vds 30V & 30V

C(tum): 1685pF. Kostnad): 210pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 55ms. Funktion: Strömförsörjning med högfrekvent switchläge. Kollektorström: 56A. Ic(puls): 65A. Ic(T=100°C): 27A. Pd (effektförlust, max): 250W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 29 ns. Td(på): 8 ns. Teknik: POWER MOS 7® IGBT. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Antal terminaler: 3. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

C(tum): 4360pF. Kostnad): 895pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 280 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 164A. ID (T=25°C): 41A. Idss (max): 1000uA. IDss (min): 250uA. Pd (effektförlust, max): 378W. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 25 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: Power MOS 7 FREDFET. Hölje: ISOTOP ( SOT227B ). Hölje (enligt datablad): ISOTOP ( SOT-227 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: snabb växling, lågt läckage. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 7400pF. Kostnad): 1000pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 620 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 176A. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 450W. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 54 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: Power MOSV. Hölje: ISOTOP ( SOT227B ). Hölje (enligt datablad): ISOTOP ( SOT-227 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Grind/källa spänning (av) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Funktion: snabb växling, lågt läckage. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2600pF. Kostnad): 270pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 600 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 260W. Resistans Rds På: 0.75 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: Power MOSV. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Grind/källa spänning (av) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Funktion: snabb växling, lågt läckage. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-323. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 32. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 5.5V. Samlarström Ic [A], max.: 40mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 2.4GHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-343. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 4. Tillverkarens märkning: 5Fx. Drain-source spänning Uds [V]: 5V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. Gate haverispänning Ugs [V]: 0.37V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.27W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Antal per fodral: 1. obs: TU

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: B891F. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 32V. Samlarström Ic [A], max.: 2A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C