Transistorer

Motstånd B: NINCS. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-18. Kostnad): 4.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 450. Minsta hFE-förstärkning: 200. Kollektorström: 0.2A. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-18 ( TO-206 ). Hölje (enligt datablad): TO-18. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Vebo: 6V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: allmänt syfte. Kollektorström: 0.1A. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-18 ( TO-206 ). Hölje (enligt datablad): TO-18. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V

Kostnad): 4.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: allmänt syfte. Kollektorström: 0.2A. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-18 ( TO-206 ). Hölje (enligt datablad): TO-18. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 30 v. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): 80pF. Kostnad): 25pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: för medelhög effekt och switchningsapplikationer. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.8W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO39. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: komplementär transistor (par) BC161-16. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Motstånd B: NINCS. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): 180pF. Kostnad): 30pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: 1A. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 1A. Ic(puls): +175°C. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.8W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: EPITAXIAL TRANSISTORS. Tf(max): 650 ns. Tf(min): 500 ns. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC141. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 220. Minsta hFE-förstärkning: 120. Kollektorström: 0.1A. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 4pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 460. Minsta hFE-förstärkning: 180. Kollektorström: 0.2A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-18 ( TO-206 ). Hölje (enligt datablad): TO-18. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -60...+200°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 500. Minsta hFE-förstärkning: 240. Kollektorström: 0.1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 350mW. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 6V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 500. Minsta hFE-förstärkning: 240. Kollektorström: 0.1A. obs: ( E,C,B ). Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.35W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 6V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 280 MHz. Kollektorström: 0.2A. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. CE-diod: ja

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 280 MHz. Kollektorström: 0.2A. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V

Hölje: TO-92. Motstånd B: PNP transistor. BE-motstånd: -50V. C(tum): -0.1A. Kostnad): 1W. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 280 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. Kollektorström: 100mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 350mW. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC212BG. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 280 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 350 MHz. Funktion: allmänt syfte. Kollektorström: 0.2A. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. CE-diod: ja

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 0.2A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 45V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Vebo: 5V. CE-diod: ja

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Kollektorström: 0.1A. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Spec info: BC237/25

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC237BG. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Kollektorström: 0.1A. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V

Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 120V. Kollektorström: 0.5A. Effekt: 0.85W. Hölje: TO-39

Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 60V. Kollektorström: 0.5A. Effekt: 0.85W. Hölje: TO-39

Motstånd B: PNP transistor. BE-motstånd: -60V. C(tum): -0.5A. Kostnad): 0.85W. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.65 MHz. Max hFE-förstärkning: 120. Minsta hFE-förstärkning: 40. Kollektorström: 0.5A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (effektförlust, max): 0.85W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 85V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.65V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 7V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 0.65 MHz. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 40. Kollektorström: 0.5A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (effektförlust, max): 0.85W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.65V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Vebo: 7V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Kollektorström: 0.1A. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v

Kostnad): 12pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 0.8A. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC337-16. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: C32716. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 260 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor