Transistorer

Kostnad): 12pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: hFE 160-400. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 160. Kollektorström: 0.8A. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC337-25. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 12pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: hFE 160-400. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 160. Kollektorström: 0.8A. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC337-25. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC327-25. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC327-25. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 260 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC327-25. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC327-40. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC337-40

Kostnad): 12pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: hFE 250-600. Max hFE-förstärkning: 630. Minsta hFE-förstärkning: 250. Kollektorström: 0.8A. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC337-40. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Hölje: TO-92. Motstånd B: PNP transistor. BE-motstånd: -30V. C(tum): -0.8A. Kostnad): 0.63W. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 160. Kollektorström: 0.8A. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 15pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 210 MHz. Max hFE-förstärkning: 630. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 0.8A. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC327-25. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC337-25. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC337-25. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 210 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 50V. Kollektorström: 0.8A. Effekt: 0.63W. Hölje: TO-92

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC337-25. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC337-40. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC327-40

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC337-40. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 210 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 50V. Kollektorström: 0.8A. Effekt: 0.63W. Hölje: TO-92

Kostnad): 12pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 0.8A. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC327-16. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 12pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 160. Kollektorström: 0.8A. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC327-25. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 12pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 630. Minsta hFE-förstärkning: 250. Kollektorström: 0.8A. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92Ammo-Pack. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC327-40. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 50V. Kollektorström: 0.8A. Effekt: 0.63W. Hölje: TO-92

Kostnad): 40pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 40 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 63. Kollektorström: 1A. Ic(puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.8W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 40 MHz. Max hFE-förstärkning: 375. Minsta hFE-förstärkning: 85. Kollektorström: 1A. Ic(puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.83W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 32V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC369

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC369. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 20V. Samlarström Ic [A], max.: 1.5A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 45 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V

Typ av transistor: PNP transistor. Polaritet: PNP. Collector-Emitter Voltage VCEO: -20V. Kollektorström: -1A. Effekt: 0.625W. Hölje: TO-92

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 160000. Minsta hFE-förstärkning: 8000. Kollektorström: 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Spec info: VEBO 12V