Transistorer

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Kollektorström: 0.1A. Pd (effektförlust, max): 0.4W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 180V. Spec info: TO18

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: allmänt syfte. Kollektorström: 0.1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: hFE 420...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 100mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 45V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Vebo: 5V

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 3000. Kollektorström: 0.4A. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 40V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Spec info: komplementär transistor (par) BC517

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC517. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Samlarström Ic [A], max.: 1A. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200MHz. Minsta hFE-förstärkning: 30000. Kollektorström: 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Spec info: komplementär transistor (par) BC516. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN-transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC517. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Samlarström Ic [A], max.: 1.2A. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC517. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Samlarström Ic [A], max.: 1A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

Kollektorström: 1.2A. Hölje: TO-92. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Typ: Darlington transistor. Collector-Emitter Voltage VCEO: 30V. Effekt: 0.625W. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200MHz. Minsta hFE-förstärkning: 30000. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Spec info: komplementär transistor (par) BC516

Konditioneringsenhet: 2000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 220. Minsta hFE-förstärkning: 90. Kollektorström: 0.1A. Ic(puls): 0.2A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.09V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 65V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) BC556A. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: TO-92. Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-92. Kostnad): 6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 450. Minsta hFE-förstärkning: 200. Kollektorström: 0.1A. Ic(puls): 0.2A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Planar epitaxial transistor . Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.09V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 65V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) BC556B. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Hölje: TO-92. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC546B. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 65V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 80V. Kollektorström: 0.2A. Effekt: 0.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 65V. Kollektorström: 0.1A. Effekt: 0.5W. Hölje: TO-92

Kostnad): 6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 420. Kollektorström: 100mA. Ic(puls): 200mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Planar epitaxial transistor . Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 65V. Vebo: 6V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 220. Minsta hFE-förstärkning: 90. Kollektorström: 100mA. Ic(puls): 200mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial Planar-Transistor . Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC557A. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC547B. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial Planar-Transistor . Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Vebo: 6V. Spec info: komplementär transistor (par) BC557B

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC547B. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

RoHS: ja. Hölje: TO-92. Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-92. Kostnad): TO-226. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 270. Kollektorström: 100mA. Ic(puls): 200mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxial Planar-Transistor . Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC557C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC547C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC547C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC547C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: allmänt syfte. Kollektorström: 0.1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Spec info: komplementär transistor (par) BC558B

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC548B. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC548C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Kollektorström: 0.1A. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v