Transistorer

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Kollektorström: 0.1A. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC549C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 250 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

Kostnad): 2.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 450. Minsta hFE-förstärkning: 200. Kollektorström: 0.1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC560B. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 420. Kollektorström: 0.1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC560C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: TO-92. Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): 9pF. Kostnad): 3.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 420. Kollektorström: 0.1A. Ic(puls): +150°C. Ekvivalenta: BC550CG, BC550CBU. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-92 3L (Ammo Pack). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC560C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC556B. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 65V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 150 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC546B

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC556B. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 65V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 280 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

Typ av transistor: PNP transistor. Polaritet: PNP. Collector-Emitter Voltage VCEO: -65V. Kollektorström: -0.1A. Effekt: 0.5W. Hölje: TO-92

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 420. Kollektorström: 100mA. Ic(puls): 200mA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC546C

Kostnad): 6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 220. Minsta hFE-förstärkning: 110. Kollektorström: 100mA. Ic(puls): 200mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo-Pak ). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.08V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC547A. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC557B. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 150 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.65V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC547B

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC557B. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 320 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

Typ av transistor: PNP transistor. Polaritet: PNP. Collector-Emitter Voltage VCEO: -50V. Kollektorström: -0.2A. Effekt: 0.5W. Hölje: TO-92

Hölje: TO-92. Motstånd B: PNP transistor. BE-motstånd: -50V. C(tum): 10pF. Kostnad): 3.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 420. Kollektorström: 100mA. Ic(puls): 200mA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.65V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC547C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC557B. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 150 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC557C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 320 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 450. Minsta hFE-förstärkning: 200. Kollektorström: 100mA. Ic(puls): 200mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 30 v. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.08V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Funktion: Switching och AF-förstärkare. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: C559A. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: allmänt syfte. Kollektorström: 0.1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: hFE 200...450. Kollektorström: 0.1A. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Spec info: komplementär transistor (par) BC550B

Kostnad): 2.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 380. Kollektorström: 100mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Planar epitaxial transistor . Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC550C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: TO-92. Motstånd B: ja. BE-diod: PNP transistor. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-92. Kostnad): TO-226AA. CE-diod: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 100mA. Ic(puls): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BC550C

C(tum): 50pF. Kostnad): 7pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 40. Kollektorström: 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.8W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Planar epitaxial transistor . Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

C(tum): 110pF. Kostnad): 9pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 70 MHz. Produktionsdatum: 1997.04. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 40. Kollektorström: 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 800mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Planar epitaxial transistor . Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

C(tum): 50pF. Kostnad): 7pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Kollektorström: 1A. Pd (effektförlust, max): 0.8W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS