Transistorer

Kostnad): 3pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: NF-TR. Max hFE-förstärkning: 600. Minsta hFE-förstärkning: 250. Kollektorström: 0.5A. Ic(puls): 1A. Märkning på höljet: 6C. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23-3. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 6C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 6C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 6g. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.31W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 6g. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

C(tum): 11pF. Kostnad): 2pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 450. Minsta hFE-förstärkning: 200. Kollektorström: 0.1A. Märkning på höljet: 1B. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): TO-236AB. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 65V. Vebo: 6V. Spec info: SMD 1B. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1B. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 65V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1B. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 65V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1B. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 65V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SC-70. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1B. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 65V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 420. Kollektorström: 0.1A. Märkning på höljet: 8AC. Pd (effektförlust, max): 0.33W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 250mV. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 600mV. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 65V. Vebo: 6V. Spec info: SMD 8AC. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 1.5pF. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 220. Minsta hFE-förstärkning: 110. Kollektorström: 100mA. Ic(puls): 200mA. Märkning på höljet: 1E. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.09V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Spec info: screentryck/SMD-kod 1E. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: allmänt syfte. Kollektorström: 0.1A. Pd (effektförlust, max): 0.33W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Spec info: screentryck/SMD-kod 1F

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1F. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1F. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: DUAL NPN & PNP. Max hFE-förstärkning: 450. Minsta hFE-förstärkning: 200. Kollektorström: 100mA. Ic(puls): 200mA. Märkning på höljet: 13. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-363 ( SC-88 ). Hölje (enligt datablad): SOT-363. Typ av transistor: PNP & NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 6. Spec info: screentryck/SMD-kod 13. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SC-88. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-363. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 13. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.22W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: par NPN- och PNP-transistorer

Kostnad): 4.5pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 250. Kollektorström: 0.1A. Pd (effektförlust, max): 0.225W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Vebo: 6V. Antal per fodral: 1. Spec info: screentryck/SMD-kod 1G. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1g. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: allmänt syfte. Kollektorström: 0.1A. Pd (effektförlust, max): 0.33W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: screentryck/SMD-kod 1K

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1g. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1g. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1Ls. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 250 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.33W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1L. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SC-70. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-323. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C