Transistorer

Kostnad): 15pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 145 MHz. Funktion: Ljud, telefoni och biltillämpningar. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 1A. Ic(puls): 2A. Märkning på höljet: BCP52/16. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.35W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BCP55-16. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Kapsling (JEDEC-standard): TO-264. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BCP53-10. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 120 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +155°C

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Kapsling (JEDEC-standard): TO-261. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: AH-10. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1.5A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kostnad): 25pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150MHz. Funktion: Ljud, telefoni och biltillämpningar. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 1A. Ic(puls): 2A. Märkning på höljet: BCP 5316. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BCP56-16. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Kapsling (JEDEC-standard): TO-261. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: AH. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Kapsling (JEDEC-standard): TO-261. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 1.5A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 130 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kostnad): 6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Funktion: Ljud, telefoni och biltillämpningar. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 1A. Ic(puls): 2A. Märkning på höljet: BCP54/16. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.35W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BCP51-16. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 25pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: Ljud, telefoni och biltillämpningar. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 1A. Ic(puls): 2A. Märkning på höljet: BCP 5516. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BCP52-16. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Kapsling (JEDEC-standard): TO-264. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BCP56-10. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 120 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +155°C

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Kapsling (JEDEC-standard): TO-261. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BH-10. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 130 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kostnad): 6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Funktion: Ljud, telefoni och biltillämpningar. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 1A. Ic(puls): 2A. Märkning på höljet: BCP56/16. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.35W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BCP53-16. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Kapsling (JEDEC-standard): TO-261. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BH-10. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 130 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Kapsling (JEDEC-standard): TO-261. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BH. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 130 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Kapsling (JEDEC-standard): TO-261. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 20V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 60 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Kapsling (JEDEC-standard): TO-261. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BCP69/25. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 20V. Samlarström Ic [A], max.: 2A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 140 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Kapsling (JEDEC-standard): TO-261. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BCP69. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 20V. Samlarström Ic [A], max.: 2A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 140 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: XGs. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.33W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

Motstånd B: 10k Ohms. BE-motstånd: 10k Ohms. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: Transistor med inbyggt förspänningsmotstånd. Minsta hFE-förstärkning: 70. Kollektorström: 500mA. Märkning på höljet: XCs. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.33W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 1V. Spec info: screentryck/CMS-kod XCs. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Motstånd B: 4.7k Ohms. BE-motstånd: 4.7k Ohms. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: PNP Silicon Digital Transistor. Minsta hFE-förstärkning: 50. Kollektorström: 500mA. Märkning på höljet: XUs. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.33W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: XHs. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 150 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.33W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Darlington NPN-transistor. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-89. Kapsling (JEDEC-standard): TO-243. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: EF. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 150 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Antal per fodral: 1. FT: 250 MHz. Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 420. Kollektorström: 100mA. Märkning på höljet: 3Ls. Antal terminaler: 4. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-143. Hölje (enligt datablad): SOT-143. Typ av transistor: PNP & PNP. Vcbo: 30 v. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Funktion: PNP Silicon Dual Transistor. Spec info: screentryck/SMD-kod 3Ls. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 500. Minsta hFE-förstärkning: 250. Kollektorström: 0.1A. obs: screentryck/SMD-kod C2. Märkning på höljet: C2. Pd (effektförlust, max): 300mW. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 32V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 32V. Vebo: 5V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Kollektorström: 0.1A. obs: >420. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BCW60RC. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W