Transistorer

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: Ljudförstärkare och applikationer. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 1.5A. Ic(puls): 2A. Pd (effektförlust, max): 12.5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126 plastic. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55°C till +150°C. Vcbo: 45V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Kollektorström: 1.5A. Pd (effektförlust, max): 12.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD139. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1.5A. Maximal förlust Ptot [W]: 12.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Kollektorström: 1.5A. Ic(puls): 3A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 12.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Spec info: komplementär transistor (par) BD140. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD139-10. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1.5A. Maximal förlust Ptot [W]: 12.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 80V. Kollektorström: 1A. Effekt: 10W. Hölje: TO-126 FULLPACK

RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-126. Kostnad): SOT-32. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 1.5A. Ic(puls): 3A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 12.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Spec info: komplementär transistor (par) BD140-16. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 1.5A. Ic(puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 12.5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126 plastic. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BD140-16. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 80V. Kollektorström: 1.5A. Effekt: 12.5W. Hölje: TO-126

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 40. Kollektorström: 1.5A. Ic(puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 12.5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126 plastic. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BD140-16. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD140. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1.5A. Maximal förlust Ptot [W]: 12.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Gränsfrekvens ft [MHz]: 250. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 12.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BD139. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD140-10. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1.5A. Maximal förlust Ptot [W]: 12.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Hölje: TO-126. Tillverkarens märkning: BD140-16. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1.5A. Maximal förlust Ptot [W]: 12.5W. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Collector-Emitter Voltage VCEO: -80V. Kollektorström: -1.5A. Effekt: 12.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Gränsfrekvens ft [MHz]: 250. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 12.5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Spec info: komplementär transistor (par) BD139-16. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 25. Kollektorström: 1.5A. Ic(puls): 2A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 12.5W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55°C till +150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BD139. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 0.5A. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO126. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 375V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorström: 1.5A. Pd (effektförlust, max): 20W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorström: 1.5A. Pd (effektförlust, max): 20W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-225. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD179G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 3mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.03W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 125 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorström: 1.5A. Pd (effektförlust, max): 12.5W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD237. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 2A. Maximal förlust Ptot [W]: 25W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Kollektorström: 2A. Ic(puls): 6A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Spec info: komplementär transistor (par) BD238. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 25. Kollektorström: 2A. Ic(puls): 6A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Spec info: komplementär transistor (par) BD238. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-225. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD237G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 2A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 25W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-126. Kostnad): SOT-32. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Ljud-, kraftlinjär- och växlingsapplikationer. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 25. Kollektorström: 2A. Ic(puls): 6A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.6V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BD237. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-225. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD238G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 2A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 25W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Collector-Emitter Voltage VCEO: -80V. Kollektorström: -2A. Effekt: 25W. Hölje: TO-126

Kollektorström: 2A. Hölje: TO-220. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Effekt: 30W. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 4A. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BD240C