Transistorer

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 15. Kollektorström: 2A. Ic(puls): 4A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BD239C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Hölje: TO-220. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Kollektorström: 3A. Effekt: 40W. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 10. Kollektorström: 5A. Ic(puls): 8A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BD242C

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 10. Kollektorström: 3A. Ic(puls): 5A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BD242C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 10. Kollektorström: 5A. Ic(puls): 8A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BD241C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD242CG. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 3A. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD243C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 6A. Maximal förlust Ptot [W]: 65W. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Kollektorström: 6A. Effekt: 65W. Hölje: TO-220. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistor. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 15. Kollektorström: 6A. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Spec info: komplementär transistor (par) BD244C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD243C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 6A. Maximal förlust Ptot [W]: 65W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Konditioneringsenhet: 50. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistor. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 15. Kollektorström: 6A. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Spec info: komplementär transistor (par) BD244C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220. Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Effekt: 65W. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD244C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 6A. Maximal förlust Ptot [W]: 65W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Gränsfrekvens ft [MHz]: 15. Pd (effektförlust, max): 65W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BD243C

Hölje: TO-220. Motstånd B: Krafttransistor. BE-motstånd: -100V. C(tum): -6A. Kostnad): 65W. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 15. Kollektorström: 6A. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BD243C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 80W. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. Spec info: komplementär transistor (par) BD246C

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 80W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. Spec info: komplementär transistor (par) BD246C

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 80W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. Spec info: komplementär transistor (par) BD245C. CE-diod: ja

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 80W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. Spec info: komplementär transistor (par) BD245C. CE-diod: ja

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 5. Kollektorström: 25A. Ic(puls): 40A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-218AB. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BD250C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Kollektorström: 25A. Pd (effektförlust, max): 125W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-218. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. Spec info: komplementär transistor (par) BD250C

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Kollektorström: 25A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. Spec info: komplementär transistor (par) BD249C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Kollektorström: 25A. Pd (effektförlust, max): 125W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-218. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. Spec info: komplementär transistor (par) BD249C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Kollektorström: 25A. Pd (effektförlust, max): 125W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-218. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. Spec info: komplementär transistor (par) BD249C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: SOT-93. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-93. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD250C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 25A. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorström: 6A. obs: >750. Pd (effektförlust, max): 60W. Hölje: SOT-82. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorström: 4A. Pd (effektförlust, max): 36W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 22V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD438. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 32V. Samlarström Ic [A], max.: 4A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 36W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 32V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32)