Transistorer

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10MHz. Funktion: Power Linear och Switching. Minsta hFE-förstärkning: 750. Kollektorström: 4A. Ic(puls): 6A. Pd (effektförlust, max): 14W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BD679A. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kollektorström: 4A. Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: NPN. Typ: Darlington transistor. Inbyggd diod: ja. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Effekt: 40W. Hölje: TO-126. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Max hFE-förstärkning: 750. Ic(puls): 6A. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BD682. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-225. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD681G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 4A. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Hölje: TO-126. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 4A. Gränsfrekvens ft [MHz]: NF-L. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Pd (effektförlust, max): 40W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: PNP. Typ: Darlington transistor. Inbyggd diod: ja. Collector-Emitter Voltage VCEO: -100V. Kollektorström: -4A. Effekt: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Spec info: komplementär transistor (par) BD681

RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-225. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD682G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 4A. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorström: 4A. Pd (effektförlust, max): 40W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. obs: >750. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorström: 4A. Pd (effektförlust, max): 15W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD809G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 1.5 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 90W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD810G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 1.5 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 90W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Halvledarmaterial: kisel. FT: 75 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorström: 1A. Pd (effektförlust, max): 8W. Hölje: TO-202. Hölje (enligt datablad): TO-202; SOT128B. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BD829. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 1 MHz. Funktion: NF-L. Minsta hFE-förstärkning: 750. Kollektorström: 8A. Pd (effektförlust, max): 70W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BD902

Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 1 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorström: 8A. Pd (effektförlust, max): 70W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. obs: >750. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BD901

Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Kollektorström: 15A. Pd (effektförlust, max): 90W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. CE-diod: ja

Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Power Linear och Switching. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 40. Kollektorström: 15A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 90W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. BE-motstånd: 100V. C(tum): 15A. Kostnad): 90W. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BD912. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Kollektorström: 15A. Pd (effektförlust, max): 90W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BD912. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Motstånd B: ja. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-220AB. Kostnad): TO-220AB. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Power Linear och Switching. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 40. Kollektorström: 15A. Ic(puls): +150°C. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 90W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BD911. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Kollektorström: 15A. Pd (effektförlust, max): 90W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-225. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BD911. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorström: 5A. Pd (effektförlust, max): 40W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Kapsling (JEDEC-standard): TO-264. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BDP949. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 3A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 3W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Kapsling (JEDEC-standard): TO-264. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BDP950. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 3A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 1500. Minsta hFE-förstärkning: 750. Kollektorström: 12A. Ic(puls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 125W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Darlington transistor. Tf(max): 2.5us. Tf(min): 0.5us. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Vebo: 2.5V. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 3. obs: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Spec info: komplementär transistor (par) BDT65C. BE-diod: ja. CE-diod: ja

Darlington-transistor?: 1. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Kollektorström: 12A. Pd (effektförlust, max): 125W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Funktion: hFE 1000. Spec info: komplementär transistor (par) BDT64C. BE-diod: ja. CE-diod: ja

Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Kollektorström: 15A. Pd (effektförlust, max): 125W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 1. Spec info: 130.42144

RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BDV64BG. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 1000. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Pd (effektförlust, max): 125W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-247. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Spec info: komplementär transistor (par) BDV65B

Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 12A. Pd (effektförlust, max): 125W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): SOT-93. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Funktion: hFE 1000. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BDV65C