Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 43.55kr | 54.44kr |
5 - 9 | 41.38kr | 51.73kr |
10 - 24 | 29.39kr | 36.74kr |
25 - 49 | 27.75kr | 34.69kr |
50 - 95 | 30.00kr | 37.50kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 43.55kr | 54.44kr |
5 - 9 | 41.38kr | 51.73kr |
10 - 24 | 29.39kr | 36.74kr |
25 - 49 | 27.75kr | 34.69kr |
50 - 95 | 30.00kr | 37.50kr |
BDV64BG. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BDV64BG. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 1000. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Pd (effektförlust, max): 125W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-247. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Spec info: komplementär transistor (par) BDV65B. Antal i lager uppdaterad den 16/01/2025, 16:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.