Transistorer

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: switchade strömförsörjning. Kollektorström: 15A. Pd (effektförlust, max): 95W. RoHS: NINCS. Td(av): 3.5us. Td(på): 0.5us. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO3. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+175°C. Vcbo: 750V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Kollektorström: 4A. Pd (effektförlust, max): 36W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1

Antal per fodral: 1

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Samlarström Ic [A], max.: 25mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

Kostnad): 3.5pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 1100 MHz. Funktion: TV-IF. Kollektorström: 100mA. Pd (effektförlust, max): 350mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Planar epitaxial transistor . Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55°C till +150°C. Vcbo: 40V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Vebo: 4 v. Motstånd B: NPN-transistor. BE-motstånd: RF-POWER. C(tum): 25V. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Funktion: TV-IF-reVHF. Antal per fodral: 1

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BF240. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Samlarström Ic [A], max.: 25mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 150 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

Typ av transistor: FET transistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 2mA. Max dräneringsström: TO-92

C(tum): 4pF. Kostnad): 1.6pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: JFET. Funktion: HF-VHF. ID (T=25°C): 25mA. Idss (max): 15mA. IDss (min): 6mA. IGF: 10mA. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Fälteffekttransistor. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Driftstemperatur: -...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 8V. Grind/källa spänning (av) max.: 3.8V. Grind/källa spänning (av) min.: 1.6V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 4pF. Kostnad): 1.6pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: JFET. Funktion: HF-VHF. ID (T=25°C): 25mA. Idss (max): 25mA. IDss (min): 12mA. IGF: 10mA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Fälteffekttransistor. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 8V. Grind/källa spänning (av) max.: 7.5V. Grind/källa spänning (av) min.: 3.2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): AM/FM/VHF. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BF246A. Drain-source spänning Uds [V]: 25V. Dräneringsström Idss [A] @ Ug=0V: 10mA. Gate-source brytpunktsspänning Ugss [V] @ Uds=0V: -14.5V @ +15V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-92. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 39V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Grind/källa spänning (av) max.: 14.5V. Grind/källa spänning (av) min.: 0.6V. Komponentfamilj: N-kanals JFET-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 20V. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.22W

Kanaltyp: N. Typ av transistor: FET. Funktion: för VHF/UHF RF-förstärkare. Idss (max): 13mA. IDss (min): 6mA. IGF: 10mA. Pd (effektförlust, max): 350W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 0.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

Kanaltyp: N. Typ av transistor: FET. Funktion: för VHF/UHF RF-förstärkare. Idss (max): 18mA. IDss (min): 11mA. IGF: 10mA. Pd (effektförlust, max): 350mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 0.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. FT: 90 MHz. Funktion: VIDEO förstärkare.. Kollektorström: 0.1A. Pd (effektförlust, max): 0.8W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

Antal per fodral: 1

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Samlarström Ic [A], max.: 25mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W

Halvledarmaterial: kisel. FT: 450 MHz. Kollektorström: 25mA. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1

Kostnad): 2pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: VIDEO förstärkare.. Kollektorström: 0.5A. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Vebo: 6V. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO förstärkare.. Minsta hFE-förstärkning: 50. Kollektorström: 500mA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 800mW. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.6V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BF421. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Minsta hFE-förstärkning: 40. Kollektorström: 50mA. Ic(puls): 100mA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 830mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BF420. CE-diod: ja

Kostnad): 1.6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO förstärkare.. Minsta hFE-förstärkning: 50. Kollektorström: 50mA. Ic(puls): 100mA. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.6V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Spec info: komplementär transistor (par) BF423. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO förstärkare.. Minsta hFE-förstärkning: 50. Kollektorström: 0.05A. Ic(puls): 100A. Pd (effektförlust, max): 0.83W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BF422

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BF450. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Samlarström Ic [A], max.: 25mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 350 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Pd (effektförlust, max): 300mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( SOT-54 ). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Vebo: 4 v. Antal terminaler: 3. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor. Spec info: feedback capacitance--0.45pF

Halvledarmaterial: kisel. FT: 350 MHz. Funktion: HF- och IF-steg i radiomottagare. Max hFE-förstärkning: 90. Minsta hFE-förstärkning: 30. Kollektorström: 25mA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 300mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 40V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Vebo: 4 v. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS