Transistorer

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 20V. Samlarström Ic [A], max.: 25mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

Halvledarmaterial: kisel. FT: 700 MHz. Funktion: VHF TV-IF. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 35. Kollektorström: 100mA. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Vebo: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

Funktion: UHF-V. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. FT: 900 MHz. Funktion: UHF-M/O. Kollektorström: 30mA. Pd (effektförlust, max): 0.15W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-50. Hölje (enligt datablad): TO-50. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Hölje: SOT-37. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: UHF-V. Kollektorström: 30mA. Pd (effektförlust, max): 0.2W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Antal per fodral: 1

C(tum): 3pF. Kostnad): 1.2pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: VHF- och UHF-applikationer med 12V matningsspänning. ID (T=25°C): 30mA. Idss (max): 18mA. IDss (min): 2mA. Märkning på höljet: M90. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 200mW. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Hölje: SOT-143. Hölje (enligt datablad): SOT-143. Spänning Vds(max): 18V. Antal terminaler: 4. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: ja

C(tum): 2.3pF. Kostnad): 0.8pF. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=25°C): 30mA. Idss (max): 4mA. IDss (min): 2mA. Märkning på höljet: MH. Pd (effektförlust, max): 200mW. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-143. Hölje (enligt datablad): SOT-143. Spänning Vds(max): 20V. Antal terminaler: 4. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod MH

C(tum): 2.1pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: VHF- och UHF-applikationer med 12V matningsspänning. ID (T=25°C): 30mA. Idss (max): 15mA. IDss (min): 5mA. Märkning på höljet: MOS. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 200mW. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Hölje: SOT-143. Hölje (enligt datablad): SOT-143. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 12V. Antal terminaler: 4. Antal per fodral: 1. Kostnad): 1.1pF. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-143B. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 4. Tillverkarens märkning: BF998. Drain-source spänning Uds [V]: 12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30mA. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2.5pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Halvledarmaterial: kisel. FT: 7GHz. Funktion: VHF/UHF-A 7GHz bredbandstransistor. Max hFE-förstärkning: 130. Minsta hFE-förstärkning: 80. Kollektorström: 150mA. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+175°C. Vcbo: 25V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 15V. Vebo: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

Kostnad): 0.7pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 7GHz. Funktion: För VHF/UHF-antennförstärkare och RF-kommunikationstillämpningar. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 60. Kollektorström: 200mA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -60...+150°C. Vcbo: 20V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 15V. Vebo: 3V. Antal terminaler: 4. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

C(tum): 1.3pF. Kostnad): 0.7pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 8GHz. Funktion: UHF wideband transistor. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 60. Kollektorström: 50mA. Märkning på höljet: V3%. Pd (effektförlust, max): 300mW (total 380mW). RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-143. Hölje (enligt datablad): SOT-143B. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -60...+150°C. Vcbo: 20V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 10V. Vebo: 2.5V. Antal terminaler: 4. Spec info: screentryck/CMS-kod V3. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

C(tum): 1.3pF. Kostnad): 0.7pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 8GHz. Funktion: UHF wideband transistor. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 60. Kollektorström: 50mA. Märkning på höljet: %MW. Pd (effektförlust, max): 300mW (total 380mW). RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-143. Hölje (enligt datablad): SOT-143B. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 20V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 10V. Vebo: 2.5V. Antal terminaler: 4. Spec info: screentryck/SMD-kod MW. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Funktion: VID-L. Kollektorström: 0.1A. Pd (effektförlust, max): 1.8W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Kapsling (JEDEC-standard): TO-264. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BFN37. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 250V. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 0.9pF. Kostnad): 0.28pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 8GHz. Funktion: UHF wideband transistor. Max hFE-förstärkning: 140. Minsta hFE-förstärkning: 70. Kollektorström: 80mA. Märkning på höljet: RC. Pd (effektförlust, max): 580mW (total 380mW). RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-143. Hölje (enligt datablad): SOT-143. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 12V. Vebo: 2V. Antal terminaler: 4. Spec info: screentryck/SMD-kod RC. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: "Hi-res". Kollektorström: 0.3A. Pd (effektförlust, max): 3W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BFQ252. obs: Tc.=115°C

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: UHF-A. Kollektorström: 0.15A. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. FT: 175 MHz. Kollektorström: 1.25A. Pd (effektförlust, max): 4W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 36V. Antal per fodral: 1

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: R7s. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 15V. Samlarström Ic [A], max.: 210mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 5GHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.7W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: M2. Drain-source spänning Uds [V]: 25V. Dräneringsström Idss [A] @ Ug=0V: 5mA. Gate-source brytpunktsspänning Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Komponentfamilj: N-kanals JFET-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 0.64pF. Kostnad): 0.23pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 5GHz. Funktion: 5GHz bredbandstransistor (UHF-A). Max hFE-förstärkning: 140. Minsta hFE-förstärkning: 70. Kollektorström: 0.045A. Pd (effektförlust, max): 0.28W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 15V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Vebo: 2.5V. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

C(tum): 1.2pF. Kostnad): 0.6pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 5GHz. Funktion: 5GHz bredbandstransistor (UHF-A). Max hFE-förstärkning: 135. Minsta hFE-förstärkning: 65. Kollektorström: 25mA. Märkning på höljet: P2p. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 20V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 15V. Vebo: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod P2P. Konditioneringsenhet: 3000. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P2. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 15V. Samlarström Ic [A], max.: 25mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 5GHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: GFs. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 15V. Samlarström Ic [A], max.: 45mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 5GHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.28W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C