Transistorer

Halvledarmaterial: kisel. FT: 90 MHz. Kollektorström: 0.1A. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Antal per fodral: 1

Kostnad): 5.5pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 90 MHz. Funktion: VID-L. Minsta hFE-förstärkning: 25. Kollektorström: 100mA. Ic(puls): 300mA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 10W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. FT: 45 MHz. Funktion: VID-L. Kollektorström: 0.5A. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. FT: 45 MHz. Funktion: VID-L. Kollektorström: 0.5A. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Kollektorström: 0.03A. Pd (effektförlust, max): 2W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BF471. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 50mA. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: VHF/UHF-V. Kollektorström: 50mA. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. FT: 70 MHz. Kollektorström: 0.05A. Pd (effektförlust, max): 0.83W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1. Spec info: TO-93

Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: PNP. Collector-Emitter Voltage VCEO: -250V. Kollektorström: -0.5A. Effekt: 0.8W. Hölje: TO-92

Kostnad): 1.6pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 25. Kollektorström: 0.5A. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 350V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. Vebo: 6V. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Halvledarmaterial: kisel. FT: 550 MHz. Funktion: VHF-V. Minsta hFE-förstärkning: 25. Kollektorström: 30mA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 300mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 35V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Vebo: 4 v. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

C(tum): 1.7pF. Kostnad): 0.8pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: JFET. Funktion: HF-VHF. ID (T=25°C): 25mA. Idss (max): 6.5mA. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Märkning på höljet: 20*. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 2mA. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Silicon junction fälteffekttransistor. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Grind/källa spänning (av) max.: 2.2V. Grind/källa spänning (av) min.: 0.4V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1.7pF. Kostnad): 0.8pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: JFET. Funktion: HF-VHF. ID (T=25°C): 25mA. Idss (max): 15mA. IDss (min): 6mA. IGF: 10mA. Märkning på höljet: 21*. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 6mA. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Silicon junction fälteffekttransistor. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Grind/källa spänning (av) max.: 3.8V. Grind/källa spänning (av) min.: 1.6V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1.7pF. Kostnad): 0.8pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: JFET. Funktion: HF-VHF. ID (T=25°C): 25mA. Idss (max): 25mA. IDss (min): 12mA. IGF: 10mA. Märkning på höljet: 22*. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 12mA. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Silicon junction fälteffekttransistor. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Grind/källa spänning (av) max.: 7.8V. Grind/källa spänning (av) min.: 3.2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. FT: 700 MHz. Funktion: VHF-oscillator. Minsta hFE-förstärkning: 30. Kollektorström: 25mA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 300mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 40V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Vebo: 4 v. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-89. Kapsling (JEDEC-standard): TO-243. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: DA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 250V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 60 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-89. Kapsling (JEDEC-standard): TO-243. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: DB. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 250V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 60 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Halvledarmaterial: kisel. FT: 900 MHz. Funktion: UHF-M/O. Kollektorström: 0.03A. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-39. Hölje (enligt datablad): SOT-39. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. FT: 45 MHz. Kollektorström: 0.5A. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Antal per fodral: 1

Halvledarmaterial: kisel. Funktion: UHF-V M/O. Kollektorström: 25mA. Pd (effektförlust, max): 0.36W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 15V. Antal per fodral: 1

Darlington-transistor?: NINCS. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO förstärkare.. Minsta hFE-förstärkning: 50. Kollektorström: 50mA. Ic(puls): 100mA. Märkning på höljet: 1V. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.6V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Antal per fodral: 1. Spec info: screentryck/SMD-kod

Kostnad): 1.6pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO förstärkare.. Minsta hFE-förstärkning: 50. Kollektorström: 50mA. Ic(puls): 100mA. Märkning på höljet: 1W. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Antal per fodral: 1. Spec info: screentryck/SMD-kod 1W. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-202. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 160V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Maximal förlust Ptot [W]: 1.8W

Halvledarmaterial: kisel. FT: 90MHz. Kollektorström: 50mA. Id(imp): 300mA. Pd (effektförlust, max): 7W. RoHS: NINCS. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 275V. Vebo: 5V. Antal per fodral: 1