Transistorer

Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Kollektorström: 12A. Ic(puls): 15A. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): SOT-93. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BDV65C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BDV65BG. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 1000. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Pd (effektförlust, max): 125W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-247. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Spec info: komplementär transistor (par) BDV64B

RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BDW42G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 15A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 85W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BDW47G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 15A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 85W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: SOT-93. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-93. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BDW83C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 15A. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): SOT-93. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Gränsfrekvens ft [MHz]: hFE 750 (@3V, 6A). Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 1 MHz. Max hFE-förstärkning: 20000. Minsta hFE-förstärkning: 750. Kollektorström: 15A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 7us. Tf(min): 0.9us. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BDW84C

Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 1 MHz. Kollektorström: 15A. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Antal terminaler: 3. Funktion: hFE 750 (@3V, 6A). Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BDW84D

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 1 MHz. Funktion: hFE 750 (@3V, 6A). Kollektorström: 15A. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BDW83C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): SOT-93. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V

RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: SOT-93. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-93. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BDW84D. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Samlarström Ic [A], max.: 15A. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 1 MHz. Kollektorström: 15A. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Antal terminaler: 3. Funktion: hFE 750 (@3V, 6A). Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BDW83D

Kollektorström: 12A. Hölje: TO-220. Tillverkarens märkning: BDW93C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 12A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 20 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 80W. Ic(puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: NPN. Typ: Darlington transistor. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Effekt: 80W. Antal terminaler: 3. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Max hFE-förstärkning: 20000. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 12A. Ic(puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 33W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 3. Funktion: komplementär transistor (par) BDW94CF. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: NPN. Typ: Darlington transistor. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Kollektorström: 12A. Effekt: 33W. Hölje: TO-220FP

RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BDW93C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 12A. Maximal förlust Ptot [W]: 80W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BDW94C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 12A. Maximal förlust Ptot [W]: 80W. Ic(puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 80W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal terminaler: 3. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Gränsfrekvens ft [MHz]: komplementär transistor (par) BDW93C. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Max hFE-förstärkning: 20000. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 12A. Ic(puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 33W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 3. Funktion: komplementär transistor (par) BDW93CF. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Max hFE-förstärkning: 750. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 70W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 2.5V. Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: NPN. Typ: Darlington transistor. Inbyggd diod: ja. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Effekt: 70W. Antal terminaler: 3. Funktion: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: komplementär transistor (par) BDX34C

Motstånd B: 10k Ohms. BE-motstånd: 150 Ohms. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Max hFE-förstärkning: 750. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 10A. Ic(puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 70W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. C(tum): ja. Kostnad): -100V. Antal terminaler: 3. Funktion: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: komplementär transistor (par) BDX33C. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington PNP Power Transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BDX34CG. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Maximal förlust Ptot [W]: 70W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: NPN. Typ: Darlington transistor. Collector-Emitter Voltage VCEO: 80V. Kollektorström: 8A. Effekt: 20W. Hölje: TO-220-F

Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Max hFE-förstärkning: +150°C. Minsta hFE-förstärkning: 750. Ic(puls): 12A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Komplementära krafttransistorer från Darlington. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: NPN. Typ: Darlington transistor. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Effekt: 60W. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: komplementär transistor (par) BDX54C. Funktion: ljudförstärkare. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Produktionsdatum: 2014/32. Minsta hFE-förstärkning: 750. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 12A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Komplementära krafttransistorer från Darlington. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Motstånd B: Darlington Power Transistor. BE-motstånd: Darlington transistor. C(tum): -100V. Kostnad): -8A. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: komplementär transistor (par) BDX53C. Konditioneringsenhet: 50. Funktion: ljudförstärkare. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

BE-motstånd: R1 typ. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: Komplementära krafttransistorer från Darlington. Minsta hFE-förstärkning: 750. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 12A. Pd (effektförlust, max): 60W. Hölje: TO-220. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 160V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Vebo: 5V. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BDX53F. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 7 MHz. Kollektorström: 16A. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Funktion: hFE 1000. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BDX67C

Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 7 MHz. Kollektorström: 16A. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Funktion: hFE 1000. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BDX67C