Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 44.22kr | 55.28kr |
5 - 9 | 42.01kr | 52.51kr |
10 - 24 | 39.79kr | 49.74kr |
25 - 49 | 37.64kr | 47.05kr |
50 - 99 | 27.10kr | 33.88kr |
100 - 114 | 27.38kr | 34.23kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 44.22kr | 55.28kr |
5 - 9 | 42.01kr | 52.51kr |
10 - 24 | 39.79kr | 49.74kr |
25 - 49 | 37.64kr | 47.05kr |
50 - 99 | 27.10kr | 33.88kr |
100 - 114 | 27.38kr | 34.23kr |
BDV65BG. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BDV65BG. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 10A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 1000. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Pd (effektförlust, max): 125W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-247. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Spec info: komplementär transistor (par) BDV64B. Antal i lager uppdaterad den 16/01/2025, 17:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.