Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 69.56kr | 86.95kr |
2 - 2 | 66.08kr | 82.60kr |
3 - 4 | 62.60kr | 78.25kr |
5 - 9 | 59.12kr | 73.90kr |
10 - 19 | 57.73kr | 72.16kr |
20 - 21 | 56.34kr | 70.43kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 69.56kr | 86.95kr |
2 - 2 | 66.08kr | 82.60kr |
3 - 4 | 62.60kr | 78.25kr |
5 - 9 | 59.12kr | 73.90kr |
10 - 19 | 57.73kr | 72.16kr |
20 - 21 | 56.34kr | 70.43kr |
BDV64C-POW. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Kollektorström: 12A. Ic(puls): 15A. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): SOT-93. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BDV65C. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 16/01/2025, 17:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.