Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 5.68kr | 7.10kr |
5 - 9 | 5.39kr | 6.74kr |
10 - 24 | 5.11kr | 6.39kr |
25 - 49 | 4.82kr | 6.03kr |
50 - 99 | 4.71kr | 5.89kr |
100 - 249 | 4.36kr | 5.45kr |
250 - 1541 | 4.15kr | 5.19kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 5.68kr | 7.10kr |
5 - 9 | 5.39kr | 6.74kr |
10 - 24 | 5.11kr | 6.39kr |
25 - 49 | 4.82kr | 6.03kr |
50 - 99 | 4.71kr | 5.89kr |
100 - 249 | 4.36kr | 5.45kr |
250 - 1541 | 4.15kr | 5.19kr |
BD681. Kollektorström: 4A. Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: NPN. Typ: Darlington transistor. Inbyggd diod: ja. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Effekt: 40W. Hölje: TO-126. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Max hFE-förstärkning: 750. Ic(puls): 6A. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BD682. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Antal i lager uppdaterad den 12/01/2025, 19:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.