Transistorer

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Kollektorström: 0.1A. obs: >120. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BCW69R. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: T1. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: U1. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

Kostnad): 12pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: NPN-transistor, AF-applikationer och växling. Max hFE-förstärkning: 63. Minsta hFE-förstärkning: 25. Kollektorström: 0.8A. Ic(puls): 1A. Märkning på höljet: EKs. Pd (effektförlust, max): 0.33W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...150°C. Vcbo: 125V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.9V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 125V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BCX42. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 12pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: PNP transistor, för AF och växlingsapplikationer. Max hFE-förstärkning: 63. Minsta hFE-förstärkning: 25. Kollektorström: 0.8A. Ic(puls): 1A. Märkning på höljet: DKs. Pd (effektförlust, max): 0.33W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...150°C. Vcbo: 125V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.9V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 125V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BCX41. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: DKs. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 125V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 150 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.33W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: NF-TR. Kollektorström: 1A. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT-89. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Spec info: screentryck/SMD-kod AA

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-89. Kapsling (JEDEC-standard): TO-243. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: AD. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-89. Kapsling (JEDEC-standard): TO-243. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: AM. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 125 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: PNP transistor

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 40. Kollektorström: 1A. Ic(puls): 1.5A. Märkning på höljet: AH. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.3W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: screentryck/SMD-kod AH

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 63. Kollektorström: 1A. Ic(puls): 1.5A. obs: screentryck/SMD-kod AK. Märkning på höljet: AK. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.3W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BCX56-16

RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-diod: PNP transistor. BE-motstånd: PCB-lödning (SMD). C(tum): SOT-89. Kostnad): TO-243. CE-diod: ytmonterad komponent (SMD). Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 160. Kollektorström: 1A. Ic(puls): 1.5A. obs: screentryck/SMD-kod AL. Märkning på höljet: AL. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BCX56-16

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-89. Kapsling (JEDEC-standard): TO-243. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: AL. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 125 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-89. Kapsling (JEDEC-standard): TO-243. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 180 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-89. Kapsling (JEDEC-standard): TO-243. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: bM. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 180 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

Konditioneringsenhet: 1000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Funktion: ljud- och videoförstärkare. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 40. Kollektorström: 1A. Ic(puls): 1.5A. Märkning på höljet: BH. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.3W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: screentryck/SMD-kod BH

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Funktion: ljud- och videoförstärkare. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 63. Kollektorström: 1A. Ic(puls): 1.5A. obs: screentryck/SMD-kod BK. Märkning på höljet: BK. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.3W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BCX53-10

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-89. Kapsling (JEDEC-standard): TO-243. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BL. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. Gränsfrekvens ft [MHz]: 180 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor. obs: screentryck/SMD-kod BL. Märkning på höljet: BL. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) BCX53-16

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: NF-TR. Max hFE-förstärkning: 630. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 100mA. Ic(puls): 200mA. Märkning på höljet: AK*. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23-3. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 45V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: SMD AK* (AKp, AKt, AKW)

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Max hFE-förstärkning: 1000. Minsta hFE-förstärkning: 40. Kollektorström: 100mA. Ic(puls): 200A. Pd (effektförlust, max): 0.34W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-18 ( TO-206 ). Hölje (enligt datablad): TO-18. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 45V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.75V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-18. Kapsling (JEDEC-standard): TO-206AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BCY59-9. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. Gränsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.6W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Funktion: NF/S. Kollektorström: 0.1A. Pd (effektförlust, max): 0.35W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 32V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Kollektorström: 3A. Pd (effektförlust, max): 18.5W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorström: 1.5A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 12.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32)