Transistorer

Kanaltyp: N-P. Funktion: MOSFET transistor, Rds (ON) mycket låg. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal per fodral: 2. Spec info: 0.024 Ohms & 0.048 Ohms

Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: Komplementära MOSFET-transistorer, N-kanal och P-kanal. Spec info: 0.024 Ohm & 0.038 Ohm

C(tum): 1980pF. Kostnad): 317pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 11.2 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 12.7A. Idss (max): 20mA. IDss (min): 0.02mA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 3.1W. Resistans Rds På: 0.0098 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 27 ns. Td(på): 5.5 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect (SRFET) . Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V. Antal per fodral: 1. Funktion: FET i SMPS, lastväxling. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 3760pF. Kostnad): 682pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 18 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 20A. Idss: 0.1mA. Idss (max): 20mA. IDss (min): 0.1mA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 3W. Resistans Rds På: 0.0039 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 34 ns. Td(på): 9.5 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect (SRFET) . Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2154pF. Kostnad): 474pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 12 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 20mA. IDss (min): 0.1mA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 3.1W. Resistans Rds På: 0.0058 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 25.2 ns. Td(på): 6.8 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect (SRFET) . Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.3V. Antal per fodral: 1. Funktion: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 27.5us. Funktion: MOSFET transistor, Rds (ON) mycket låg. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. Resistans Rds På: 46m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Grind/källa spänning (av) min.: 4.7V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Antal per fodral: 2

C(tum): 4360pF. Kostnad): 1050pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 39.5 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 85A. Idss (max): 5uA. IDss (min): 0.01uA. Pd (effektförlust, max): 100W. Resistans Rds På: 5.1M Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 51 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 2500. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 920pF. Kostnad): 190pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 21.4 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 5uA. IDss (min): 0.003uA. Märkning på höljet: D405. Pd (effektförlust, max): 60W. Resistans Rds På: 24.5m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 20 ns. Td(på): 9 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 2500. Spec info: komplementär transistor (par) AOD408. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1040pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 19 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: D408. Pd (effektförlust, max): 60W. Resistans Rds På: 13.6m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 17.4 ns. Td(på): 4.5 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 2500. Spec info: komplementär transistor (par) AOD405. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2977pF. Kostnad): 241pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 40 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 26A. Idss (max): 5uA. IDss (min): 0.003uA. Märkning på höljet: D409. Pd (effektförlust, max): 60W. Resistans Rds På: 32m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 38 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 2500. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 450pF. Kostnad): 61pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 27.6 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 20W. Resistans Rds På: 47m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 16 ns. Td(på): 4.2 ns. Teknik: "Senaste Trench Power MOSFET-tekniken". Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 2500. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 951pF. Kostnad): 373pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 10.2 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare. Id(imp): 96A. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 54A. Idss (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 1W. Resistans Rds På: 6m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 18.5 ns. Td(på): 6.25 ns. Teknik: "Senaste Trench Power MOSFET-tekniken". Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.8V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 2500. Spec info: Mycket låg RDS(på) vid 10VGS. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Kostnad): 16pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 172ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 15A. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 3.9A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 52W. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 18 ns. Td(på): 17 ns. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): D-PAK TO-252AA. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 400V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. C(tum): 273pF. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 962pF. Kostnad): 98pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 332ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 178W. Resistans Rds På: 0.71 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 55 ns. Td(på): 24 ns. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): D-PAK TO-252AA. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.3V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2850pF. Kostnad): 258pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 19 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 170A. ID (T=100°C): 51A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 83W. Resistans Rds På: 5.3m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 29 ns. Td(på): 8 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect (SRFET) . Hölje: PowerPAK SO-8. Hölje (enligt datablad): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Antal per fodral: 1. Funktion: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 3430pF. Kostnad): 1327pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 22 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 340A. ID (T=100°C): 115A. ID (T=25°C): 150A. Idss (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 83W. Resistans Rds På: 1.9m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 33.8 ns. Td(på): 7.5 ns. Teknik: "Senaste Trench Power AlphaMOS-tekniken". Hölje: PowerPAK SO-8. Hölje (enligt datablad): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Idsm--54A/25°C, Idsm--43A/70°C. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: DFN8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: 7401. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -36A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.017 Ohms @ -7A. Gate haverispänning Ugs [V]: -2.2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 24 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2060pF. Maximal förlust Ptot [W]: 36W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kanaltyp: N-P. Funktion: Kompletterande förbättringsläge FET. Märkning på höljet: P605. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.8W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DIP-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal per fodral: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V)

Kanaltyp: N-P. Funktion: Kompletterande förbättringsläge FET. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.8W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DIP-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal per fodral: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V)

C(tum): 1100pF. Kostnad): 300pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 19 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: High efficiency power supply, secondary synchronus rectifier. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 46A. Idss (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: AOY2610E. Pd (effektförlust, max): 59.5W. Resistans Rds På: 7.7m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 22 ns. Td(på): 6.5 ns. Teknik: Trench Power AlphaSGTTM technology. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251 ( I-Pak ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.4V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

C(tum): 655pF. Kostnad): 145pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 95A. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. Idss (max): 25uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 40T03 GP. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 31.25W. Resistans Rds På: 25m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 16 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251 ( I-Pak ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 655pF. Kostnad): 145pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 95A. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. Idss (max): 25uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 40T03 GP. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 31.25W. Resistans Rds På: 25m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 16 mS. Td(på): 6 ns. Teknik: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Driftstemperatur: -55°C...+150°C. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 655pF. Kostnad): 145pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 95A. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 28A. Idss (max): 25uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 40T03GS. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 31W. Resistans Rds På: 25m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 16 ns. Td(på): 6 ns. Teknik: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Driftstemperatur: -55°C...+150°C. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 990pF. Kostnad): 220pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 25 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 24A. Idss (max): 25uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 31.25W. Resistans Rds På: 0.036 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 20 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Enhancement Mode Power MOSFET . Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 35V. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: snabb växling, DC/DC-omvandlare. Driftstemperatur: -55°C...+150°C. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N-P. Märkning på höljet: 4501GM. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.050 Ohms (Q2)