Transistorer

C(tum): 430pF. Kostnad): 60pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1us. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 14.8A. ID (T=100°C): 3.7A. ID (T=25°C): 3.7A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: K3699. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 43W. Resistans Rds På: 3.31 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 32 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: Super FAP-G Series. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2200pF. Kostnad): 190pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1700 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 100uA. Märkning på höljet: K3799. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. Resistans Rds På: 1 Ohm. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 120ns. Td(på): 65 ns. Teknik: Field Effect (TT-MOSIV). Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F ( SC-67 ). Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

C(tum): 96pF. Kostnad): 29pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 2.8A. ID (T=25°C): 0.7A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: K3850. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 15W. Resistans Rds På: 14 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 16 ns. Td(på): 9 ns. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2200pF. Kostnad): 45pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 25. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1.4us. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Byta regulatorapplikationer. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 5.3A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: K3878. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. Resistans Rds På: 1 Ohm. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 120ns. Td(på): 65 ns. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Vth=2.0 to 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). G-S Skydd: ja

C(tum): 4250pF. Kostnad): 420pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1350 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Omkopplingsregulator. Id(imp): 80A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 500uA. Märkning på höljet: K3911. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. Resistans Rds På: 0.22 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 80 ns. Td(på): 45 ns. Teknik: Fälteffekt MOS-typ (MACH-II-MOS VI). Hölje: TO-3PN. Hölje (enligt datablad): 2-16C1B. Driftstemperatur: -...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

C(tum): 4250pF. Kostnad): 420pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 380 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Omkopplingsregulator. Id(imp): 92A. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 500uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. Resistans Rds På: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 80 ns. Td(på): 45 ns. Teknik: Fälteffekt MOS-typ (MACH-II-MOS VI). Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 500V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 4 v. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: ja

C(tum): 2400pF. Kostnad): 220pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1000 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Byta regulatorapplikationer. Id(imp): 52A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 100uA. Märkning på höljet: K4012. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 45W. Resistans Rds På: 0.33 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 95 ns. Td(på): 70 ns. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Teknik: Fälteffekttransistor, MOS-typ (TT-MOS VI). G-S Skydd: ja

C(tum): 1400pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Byta regulatorapplikationer. Id(imp): 18A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 100uA. Märkning på höljet: K4013 Q. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 45W. Resistans Rds På: 1.35 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 220 ns. Td(på): 80 ns. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F ( 2-10U1B ). Driftstemperatur: -...+150°C. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Teknik: Fälteffekttransistor, MOS-typ (TT-MOS IV). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Chopper Regulator, DC-DC Converter, Motor driver. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 5A. Pd (effektförlust, max): 20W. Resistans Rds På: 0.09 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spänning Vds(max): 60V. Teknik: Fälteffekttransistor, MOS-typ (U-MOS III)

C(tum): 2900pF. Kostnad): 450pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 33 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högströmskopplingsapplikationer. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 60A. Idss (max): 1uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: K4075. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 52W. Resistans Rds På: 5.2m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 54 ns. Td(på): 18 ns. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 40V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. Teknik: POWER MOSFET, Fälteffekttransistor. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 3400pF. Kostnad): 320pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Byta regulatorapplikationer. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. IDss (min): n/a. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. Resistans Rds På: 0.21 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 280 ns. Td(på): 130 ns. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): 2-16C1B. Driftstemperatur: -...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Teknik: Fälteffekttransistor, MOS-typ (MOS VI). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: V-MOS. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 5A. Pd (effektförlust, max): 100W. Spänning Vds(max): 800V

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 5A. Pd (effektförlust, max): 150W. Resistans Rds På: 2.5 Ohms. Spänning Vds(max): 850V

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 5A. Pd (effektförlust, max): 100W. Teknik: V-MOS. Spänning Vds(max): 800V

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 3A. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 4 Ohms. Teknik: V-MOS. Spänning Vds(max): 800V. obs: (F)

C(tum): 900pF. Kostnad): 90pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 12A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 80W. Resistans Rds På: 4 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 150 ns. Td(på): 60 ns. Teknik: V-MOS S-L. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Samsung B4054-0018. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 1.8A. ID (T=25°C): 0.6A. Idss (max): 0.6A. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92MOD. Spänning Vds(max): 100V. Funktion: Relädrift, Motordrift

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 25A. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 0.046 Ohms. Teknik: V-MOS. Spänning Vds(max): 60V

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 26A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Pd (effektförlust, max): 150W. Resistans Rds På: 1 Ohm. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: F-II Series POWER MOSFET. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 800V

Darlington-transistor?: NINCS. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Fast-switching. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 8. Kollektorström: 12A. Ic(puls): 24A. Märkning på höljet: D13009K. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.7us. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220C. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

Darlington-transistor?: NINCS. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 8. Kollektorström: 12A. Ic(puls): 24A. Märkning på höljet: D209L. Pd (effektförlust, max): 120W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(min): 0.7us. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

Darlington-transistor?: NINCS. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Max hFE-förstärkning: 20. Minsta hFE-förstärkning: 16. Kollektorström: 1.5A. Ic(puls): 3A. Märkning på höljet: 4202BD. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 20W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.7us. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 800V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.18V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 490V. Vebo: 13V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

C(tum): 7pF. Kostnad): 5.9pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 0.6A. ID (T=25°C): 0.15A. Idss (max): 10uA. Pd (effektförlust, max): 0.15W. Resistans Rds På: 3.7 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 150 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: kisel MOSFET transistor. Hölje: SMD. Hölje (enligt datablad): SSFP. Spänning Vds(max): 30 v. Grind/källa spänning (av) max.: 1.3V. Grind/källa spänning (av) min.: 0.4V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-343. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 4. Drain-source spänning Uds [V]: 12.5V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30mA. Gate haverispänning Ugs [V]: 1V. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +125°C

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V/40V. Samlarström Ic [A], max.: 300mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W