Transistorer

C(tum): 900pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Yfs--8-16S. Id(imp): 75A. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: K2507. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 30W. Resistans Rds På: 0.046 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 110 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: Fälteffekt MOS-typ(L2-TT-MOSV). Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 50V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. G-S Skydd: ja

C(tum): 220pF. Kostnad): 60pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 4A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 100uA. Märkning på höljet: K2538. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 30W. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 90 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Power F-MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 250V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Omkopplingsregulator. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 8A. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 0.85 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: MOS-typ (TT.MOSV). Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1

C(tum): 1300pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 1000 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 100uA. Märkning på höljet: K2545. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 0.9 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 150 ns. Td(på): 45 ns. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: ja

C(tum): 1800pF. Kostnad): 105pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 1000 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: High Speed, H.V. Id(imp): 15A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 45W. Resistans Rds På: 1.9 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 140 ns. Td(på): 80 ns. Teknik: Field Effect (TT-MOSIII). Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: ja

Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: High Speed, H.V. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Field Effect (TT-MOSIII). Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1

C(tum): 2040pF. Kostnad): 190pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 1.6us. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: High Speed, H.V. Id(imp): 27A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 100uA. Märkning på höljet: K2611. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. Resistans Rds På: 1.1 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 95 ns. Td(på): 60 ns. Teknik: Field Effect (TT-MOSIII). Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): 2-16C1B. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

C(tum): 150pF. Kostnad): 70pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Fälteffekttransistor. G-S Skydd: Dämpare. Id(imp): 6A. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 100uA. Märkning på höljet: ZA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 1.5W. Resistans Rds På: 0.33 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 150 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: MOS-typ (L2.TT.MOSV). Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89 ( 2-5K1B ). Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

C(tum): 700pF. Kostnad): 220pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 25 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 16A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 1mA. Märkning på höljet: K2625. Pd (effektförlust, max): 30W. Resistans Rds På: 2 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 20 ns. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FI. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Grind/källa spänning (av) min.: 3.5V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 550pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching Applications. ID (T=100°C): 1.3A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 1mV. Pd (effektförlust, max): 25W. Resistans Rds På: 3.6 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: V-MOS (F). Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FI-LS. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Grind/källa spänning (av) max.: 5.5V. Grind/källa spänning (av) min.: 3.5V. Avloppsskydd: ja. Germanium diod: NINCS

C(tum): 950pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 450 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 200uA. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: K2640. Pd (effektförlust, max): 50W. Resistans Rds På: 0.73 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 70 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: FAP-IIS Series MOS-FET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F15. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 900pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 550 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 100nA. IDss (min): 10nA. Märkning på höljet: K2645. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 60 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: FAP-IIS Series MOS-FET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F15. Driftstemperatur: -...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 450pF. Kostnad): 75pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 450 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 200uA. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: K2647. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 3.19 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: FAP-IIS Series MOS-FET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220F15. Spänning Vds(max): 800V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 900pF. Kostnad): 130pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 50W. Resistans Rds På: 1.78 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 70 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: FAP-IIS Series. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F15. Driftstemperatur: -...+150°C. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 780pF. Kostnad): 200pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 1400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. Märkning på höljet: K2662. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 35W. Resistans Rds På: 1.35 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 60 ns. Td(på): 25 ns. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Funktion: High Speed Switching, Zener-Protected. Antal per fodral: 1. Teknik: Fälteffekttransistor (TT-MOS V). G-S Skydd: ja

C(tum): 1140pF. Kostnad): 105pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): na. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 250uA. IDss (min): na. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 2.1 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 210 ns. Td(på): 55 ns. Teknik: HVX-2 Series POWER MOSFET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F15. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2600pF. Kostnad): 270pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 460 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 100uA. Märkning på höljet: K2699. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. Resistans Rds På: 0.50 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 65 ns. Td(på): 45 ns. Teknik: Fälteffekttransistor. Hölje: TO-3P ( TO3P ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: ja

C(tum): 750pF. Kostnad): 70pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 1100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 9A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 100uA. Märkning på höljet: K2700. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 3.7 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 110 ns. Td(på): 55 ns. Teknik: Fälteffekttransistor. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Hög hastighet, högspänningsomkoppling, DC/DC-omvandlare. G-S Skydd: ja

C(tum): 280pF. Kostnad): 58pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 410 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Snabb växlingshastighet. Id(imp): 6A. ID (T=25°C): 2A. Idss: 100uA. Idss (max): 2A. Märkning på höljet: K2715. Pd (effektförlust, max): 20W. Resistans Rds På: 3 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 30 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1200pF. Kostnad): 20pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 1300 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 15A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. Märkning på höljet: K2717. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 45W. Resistans Rds På: 2.3 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 200 ns. Td(på): 90 ns. Teknik: Fälteffekttransistor. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Hög hastighet, högspänningsomkoppling, DC/DC-omvandlare. G-S Skydd: ja

C(tum): 830pF. Kostnad): 430pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 60 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högströmsväxling. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 10uA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 25W. Resistans Rds På: 28m Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 100 ns. Td(på): 21 ns. Teknik: Fälteffekt effekttransistor. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: ja

C(tum): 800pF. Kostnad): 65pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 1400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Chopper Regulator, DC-DC Converter. Id(imp): 14A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: K2750. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 35W. Resistans Rds På: 1.7 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 85 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: Field Effect (TT-MOSV). Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

C(tum): 1100pF. Kostnad): 170pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 500 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.5A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 10uA. Pd (effektförlust, max): 50W. Resistans Rds På: 1 Ohm. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 75 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: V-MOS. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1850pF. Kostnad): 400pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 2.5us. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsströmbrytare. Id(imp): 48A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 100uA. IDss (min): na. Resistans Rds På: 0.9 Ohms. Td(av): 140 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: N-kanals MOSFET-transistor. Effekt: 175W. Tf(min): TO-3P ( TO3P ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Driftstemperatur: -...+150°C. Spänning Vds(max): 700V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Grind/källa spänning (av) min.: 2V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

C(tum): 2040pF. Kostnad): 640pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 1200 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(imp): 48A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 100uA. IDss (min): na. Märkning på höljet: K2842. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 180 ns. Td(på): 58 ns. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Teknik: Fälteffekttransistor, MOS-typ (TT.MOSV). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja