Transistorer

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Kollektorström: 3A. Pd (effektförlust, max): 30W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V

Kostnad): 45pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 90 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 60. Kollektorström: 3A. Ic(puls): 7A. Märkning på höljet: D882. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 10W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB772. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: M31/J. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 330V/200V. Samlarström Ic [A], max.: 7A. Maximal förlust Ptot [W]: 70W

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: hFE 4000. Kollektorström: 2A. Pd (effektförlust, max): 5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Spec info: TO-126. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Kollektorström: 0.02A. Pd (effektförlust, max): 0.4W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Funktion: NF

Kostnad): 50pF. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: AF-utgångsförstärkare. Max hFE-förstärkning: 600. Minsta hFE-förstärkning: 340. Kollektorström: 5A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.35V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Vebo: 7V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D8/C. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V/20V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.6W

RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3P. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: J119. Drain-source spänning Uds [V]: -160V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -8A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -4A. Gate haverispänning Ugs [V]: -5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 90 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1050pF. Maximal förlust Ptot [W]: 100W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 800pF. Kostnad): 270pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. Antal terminaler: 3. Resistans Rds På: 0.8 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: V-MOS (F). Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: ja

C(tum): 1040pF. Kostnad): 360pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: SWITCHING, POWER MOS FET. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 35W. Resistans Rds På: 0.55 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 47 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: P-CHANNEL POWER MOS FET. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 250V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Grind/källa spänning (av) min.: 4 v. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 800pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 205 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Förbättringsläge låg dräneringskälla vid motstånd". Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 5A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. Resistans Rds På: 1 Ohm. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 70 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: Silicon P Chanel Mos Fet. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 250V. Port-/källspänning Vgs: 20V. G-S Skydd: ja

C(tum): 450pF. Kostnad): 120pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us. Id(imp): 18A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. Resistans Rds På: 0.95 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 52 ns. Td(på): 30 ns. Teknik: kisel MOSFET transistor. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 250V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. G-S Skydd: ja

C(tum): 720pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 50 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: integrerad skyddsdiod. Id(imp): 30A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 12A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 23W. Resistans Rds På: 0.13 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 35 ns. Td(på): 7 ns. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251 ( I-Pak ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 60V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Teknik: P-kanal MOS fälteffekttransistor. G-S Skydd: ja

C(tum): 120pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: FET. Funktion: komplementär transistor (par) 2SK216. ID (T=25°C): 500mA. Idss (max): 500mA. Pd (effektförlust, max): 30W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -40...+150°C. Spänning Vds(max): 200V. Port-/källspänning Vgs: 15V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: FET. ID (T=25°C): 20mA. Idss: 2.5mA. Idss (max): 2.5mA. IDss (min): 2.5mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 30 v. Funktion: HF-förstärkning

C(tum): 1400pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 460 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 300uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 100W. Resistans Rds På: 0.95 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 8.5 ns. Td(på): 4 ns. Teknik: V-MOS. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1400pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 460 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 300uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 45W. Resistans Rds På: 0.95 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 85 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: Fälteffekttransistor. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Low Leakage Current Low Drain Source ON resistance. G-S Skydd: NINCS

Td(av): 100 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: Silicon N Channel Mos. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): 2-16C1B. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 1000V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 3.5V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. C(tum): 1300pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 300uA. Märkning på höljet: K1120. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Spec info: DC-DC-omvandlare och motordrivningsapplikation. Vikt: 4.6g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2800pF. Kostnad): 780pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 500 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 80A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 120W. Resistans Rds På: 0.27 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 200 ns. Td(på): 32 ns. Teknik: V-MOS. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 500V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. G-S Skydd: ja

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 30A. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 0.08 Ohms. Spänning Vds(max): 60V

C(tum): 1400pF. Kostnad): 250pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 460 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 300uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. Resistans Rds På: 0.95 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 85 ns. Td(på): 40 ns. Teknik: V-MOS-L. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 1400pF. Kostnad): 200pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1000 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Low Driving Power High Speed Switching. Id(imp): 23A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 500uA. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 100W. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 300 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: V-MOS. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 900V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). G-S Skydd: NINCS

RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: K1246. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.4 Ohms @ 2.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 100 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 180 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 650pF. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 1800pF. Kostnad): 500pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 1400 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högspänningsomkoppling. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. Pd (effektförlust, max): 240W. Resistans Rds På: 4 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 220 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: MOSFET transistor. Hölje: TO-3PN 13-16A1A. Driftstemperatur: -...+150°C. Spänning Vds(max): 1400V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Grind/källa spänning (av) max.: 3.5V. Grind/källa spänning (av) min.: 1.5V. Avloppsskydd: ja. Germanium diod: NINCS

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. Resistans Rds På: 0.028 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: V-MOS. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. Spec info: Logiknivåkompatibel