Transistorer

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220FP. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V/60V. Samlarström Ic [A], max.: 3A. Maximal förlust Ptot [W]: 30W. Tillverkarens märkning: kisel. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3A. Driftstemperaturområde min (°C): 30W. Drifttemperaturområde max (°C): Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CTV-HA. Kollektorström: 3.5A. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 140 MHz. Funktion: Io-sat. Kollektorström: 3A. obs: >500. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Kollektorström: 6A. Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 100W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 110V

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: Optimal för 120W Hi-Fi-utgång. Max hFE-förstärkning: 20000. Minsta hFE-förstärkning: 3500. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Trippel diffusion planar typ darlington . Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TOP-3L. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Vebo: 5V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: TV-HA. Kollektorström: 0.3A. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Kollektorström: 3A. Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-3FP. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Spec info: IBp=2A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50MHz. Funktion: Effektförstärkning med hög framåtström. Max hFE-förstärkning: 1000. Minsta hFE-förstärkning: 500. Kollektorström: 3A. Ic(puls): 6A. Temperatur: +150°C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: 2.37k Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 6V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Minsta hFE-förstärkning: 5000. Kollektorström: 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P ( MT-100 ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1560. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 210 MHz. Funktion: S Io-sat. Kollektorström: 2A. obs: screentryck/SMD-kod DT. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT-89. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1561

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 8 MHz. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 3A. Ic(puls): 6A. Märkning på höljet: D2394. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FN. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 7V

Kostnad): 55pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 40 MHz. Max hFE-förstärkning: 2000. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Kollektorström: 3A. Ic(puls): 6A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 30W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FN. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Vebo: 6V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 5000. Kollektorström: 12A. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1588. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 70W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1588. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Kollektorström: 6A. obs: >5000. Pd (effektförlust, max): 60W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 110V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1625

BE-motstånd: 40 Ohms. Kostnad): 95pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: CTV-HA. Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 5. Kollektorström: 6A. Ic(puls): 12A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad MESA-typ". Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Hölje (enligt datablad): 2-16E3A. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Vebo: 5V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

BE-motstånd: 40 Ohms. Kostnad): 95pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: CTV-HA. Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 5. Kollektorström: 6A. Ic(puls): 12A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad MESA-typ". Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Hölje (enligt datablad): 2-16E3A. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 40 Ohms. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CRT-HA Hi-r. Kollektorström: 8A. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 50 Ohms. obs: Vce(sat)=5V

Polaritet: NPN. Collector-Emitter Voltage VCEO: 80V. Kollektorström: 3A. Effekt: 1.5W. Hölje: MT-3-A1

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Funktion: TO-220. Max hFE-förstärkning: 12000. Minsta hFE-förstärkning: 5000. Kollektorström: 6A. Märkning på höljet: D2589. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 1.1us. Tf(min): 1.1us. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 110V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 110V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1659

Motstånd B: NINCS. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-220AB. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 8 MHz. Funktion: 2A. Kollektorström: 2A. Ic(puls): 5A. Pd (effektförlust, max): 20W. Hölje: TO-220. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Max hFE-förstärkning: 8. Minsta hFE-förstärkning: 3. Kollektorström: 5A. Ic(puls): 7A. Pd (effektförlust, max): 35W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 1us. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 5A. Pd (effektförlust, max): 22W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 70 MHz. Kollektorström: 1.5A. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V