Transistorer

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 5A. Pd (effektförlust, max): 80W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Spec info: Rbe 50 Ohms

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: M46/J. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 1500V/600V. Samlarström Ic [A], max.: 6A. Maximal förlust Ptot [W]: 80W. Tillverkarens märkning: kisel. Gränsfrekvens ft [MHz]: 80W. Driftstemperaturområde min (°C): NPN. Drifttemperaturområde max (°C): 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Kollektorström: 6A. Pd (effektförlust, max): 80W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Kollektorström: 7A. Pd (effektförlust, max): 80W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: M31/J. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 1.5 kV. Samlarström Ic [A], max.: 3A. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Tillverkarens märkning: kisel. Gränsfrekvens ft [MHz]: NPN

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 4A. Pd (effektförlust, max): 80W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 4A. Pd (effektförlust, max): 80W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Kollektorström: 3A. Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: M31/J. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 1500V/600V. Samlarström Ic [A], max.: 5A. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Tillverkarens märkning: kisel. Gränsfrekvens ft [MHz]: NPN. Driftstemperaturområde min (°C): 600V

RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Darlington NPN-transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: M37/J. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 6A. Maximal förlust Ptot [W]: 60W

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 1A. Antal terminaler: 3. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: (F). Kollektorström: 6A. Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. Spec info: isolerade

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CTV-HA (isolerad). Kollektorström: 6A. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): SOT-93. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Kollektorström: 7A. Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CTV-HA (isolerad). Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Kollektorström: 3.5A. Pd (effektförlust, max): 40W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Kollektorström: 6A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 2A. Pd (effektförlust, max): 80W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Max hFE-förstärkning: 15. Minsta hFE-förstärkning: 4. Kollektorström: 5A. Ic(puls): 17A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 1us. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. Vebo: 6V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: NF/SL. Kollektorström: 0.1A. obs: hFE 100...200. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Spec info: 2SD1609-C

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 280. Minsta hFE-förstärkning: 140. Kollektorström: 2A. Ic(puls): 4A. obs: komplementär transistor (par) 2SB1123S. Märkning på höljet: DF. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: "Epitaxiell plan kiseltransistor". Tf(max): 30 ns. Tf(min): 30 ns. Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funktion: High-Current Switching, låg mättnad spänning. Spec info: screentryck/SMD-kod DF. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Kollektorström: 2A. obs: hFE 200...400. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Funktion: High-Current Switching, låg mättnad spänning. Spec info: screentryck/SMD-kod DF, komplementär transistor (par) 2SB1123T. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 280. Minsta hFE-förstärkning: 140. Kollektorström: 3A. Ic(puls): 6A. Märkning på höljet: DG. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: "Epitaxiala plana kiseltransistorer". Tf(max): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.35V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funktion: High-Current Switching, låg mättnad spänning. Spec info: screentryck/SMD-kod DG

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: hög DC-ström, relädrivrutiner, lampdrivrutiner. Max hFE-förstärkning: 4000. Minsta hFE-förstärkning: 3000. Kollektorström: 1.5A. Ic(puls): 3A. Märkning på höljet: DI. Pd (effektförlust, max): 1.5W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SANYO PCP. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.9V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 10V. Spec info: screentryck/SMD-kod DI, komplementär transistor (par) 2SB1126. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Kollektorström: 2A. obs: hFE 3000...4000. Pd (effektförlust, max): 1.5W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Funktion: Hög likström, relädrivrutiner, spänningsreglering. Spec info: screentryck/SMD-kod DJ